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绝缘层作为OTFTs的重要组成部分,其性能好坏直接影响着OTFTs的性能,因此,要想获得性能优良的OTFTs器件,好的绝缘层显得至关重要。本论文选用PVP作为绝缘材料,其介电常数较高、绝缘性能好,而且由于溶于有机溶剂,所以适合溶液法制备。通过将其制备成PVP薄膜以及MIS结构器件,并借助椭圆偏振光谱仪、半导体参数分析仪和阻抗分析仪对其光学性能和电学性能进行测试,探讨了溶剂蒸汽辅助旋涂和辅助退火对PVP绝缘膜性能的影响。具体研究内容主要包括下列几个方面:(1)通过改变匀胶机旋转速率以及旋涂时是否放置PGMEA,研究了旋涂速度和PGMEA蒸汽辅助旋涂对PVP膜的影响。发现增大匀胶速率或利用PGMEA进行溶剂蒸汽辅助旋涂均能使PVP膜变薄;而且相同厚度条件下,用PGMEA蒸汽辅助旋涂得到的PVP膜做成的MIS结构,其单位面积漏电流密度J比未经蒸汽辅助旋涂的要小。表明PGMEA溶剂蒸汽辅助旋涂能有效降低PVP膜厚度,并且提高PVP膜电学性能。(2)利用苯甲醚蒸汽对PGMEA蒸汽辅助旋涂获得的PVP膜进行辅助退火,通过改变蒸汽辅助退火时间研究了它对PVP膜的影响。经椭偏光谱测试和拟合分析,得到随着苯甲醚蒸汽辅助退火时间的增加,PVP膜的总厚度下降,粗糙层厚度先降低后增大,在10min时达到最低值;由这种膜构成的MIS结构的J-V特性测试结果显示,当电场强度取值为2MV/cm时,J由0min时的1.07×10-6 A/cm2降至10min时的6.85×10-8 A/cm2,再增至20min时的2.99×10-7 A/cm2。表明PVP膜经适当时间的溶剂蒸汽辅助退火后,能有效降低其表面粗糙度和陷阱密度,从而提高PVP膜性能。(3)通过改变苯甲醚蒸汽的相对蒸汽压,研究了溶剂相对蒸汽压对溶剂蒸汽辅助退火制备PVP膜的影响。经椭偏光谱测试和拟合分析,得到随着相对蒸汽压的增大,PVP膜总厚度(均小于30nm)和粗糙层厚度均降低,薄膜致密性得到改善。由这种膜构成的MIS结构的J-V特性测试结果显示,当蒸汽压由0.21增加至0.82时,2MV/cm时J由2.94×10-7 A/cm2降至4.2×10-8 A/cm2,其漏电机理在电场强度小于1MV/cm时为P-F效应,大于1MV/cm时为肖特基发射。而且在相对蒸汽压为0.82时可得到薄膜厚度仅约为20nm、单位面积电容达到145 n F/cm2的超薄PVP膜。