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由于较高的超导转变温度(Tc),原材料廉价和无弱连接效应,MgB2超导体被认为有可能取代传统的Nb基超导体,在制冷机工作温区(20 K-30 K),特别是在核磁共振成像(MRI)有可能成为工业化应用的超导材料。但是缺乏合适的钉扎中心和较低的上临界场(Hc2)阻碍了MgB2超导体在20 K温区大规模工业应用。引入纳米级缺陷、细化MgB2超导体晶粒和改善晶粒间的连接性是提高MgB2超导体临界电流特性的有效途径。本文选择化学掺杂作为主要的研究手段引入有效钉扎中心,提高MgB2超导体的载流能力。第一