波状基区A-GCT是在传统的门板换流晶闸管(GCT)的基础上,引入波状p基区形成的新型大功率半导体器件。与传统的GCT相比,波状基区A-GCT能够大大地提高A-CrCT的功率容量,增大安全工作区,提高可靠性。因此,对波状基区A-GCT工艺的研究具有重要意义。　　本文以4.5kV波状基区A-GCT为例,首先分析波状基区结构特点,提出可行的工艺实现方法,然后利用器件仿真软件ISE-TCAD对器件的单步工艺和整体工艺进行模拟,分析了工艺方法的可行性,提取了最优的工艺条件,并给出工艺实施方案,最后通过实验验证了几个关键工艺。主要研究内容如下:　　第一,简述了波状基区A-GCT结构与工作原理,分析波状基区A-GCT器件各个区域的结构特点。结合实际工艺,提出多种实现各区域的工艺方法,而后通过工艺模拟,验证了其可行性,提取了工艺条件,从而确定了单步工艺的实施方法。　　第二,根据波状基区A-GCT的单步工艺模拟结果,同时整合单步工艺的工艺条件,分析前后道工艺之间高温过程的影响,确定了波状基区A-GCT器件的工艺流程,并通过 ISE软件进行整体工艺模拟,提取了最优化的整体工艺流程和条件。最后,对工艺模拟得到的掺杂分布进行特性验证,并给出最终的工艺实施方案。　　第三,通过实验验证了nFS层、门极沟槽及p。基区制作工艺的可行性,分析了实验中遇到的问题及解决方法。　　本文的研究结果对开发新型大功率GCT的制作工艺有一定的参考价值。