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本文以探索新型硼磷酸盐发光材料出发，以稀土硼磷酸盐体系新化合物的合成及掺杂发光研究作为重点，合成出K6Ln3B2P7O28(Ln=Lu, Y)两种新化合物并分析了它们的晶体结构，并对其进行了单掺Ce3+, Tb3+, Eu3+, Dy3+, Sm2+及Mn2+的发光材料的合成，研究其发光性能。同时研究了KSr1-xBP2O8: x RE(RE=Eu2+, Tb3+, Eu3+)以及KBa1-xBP2O8: x Eu2+的发光性能。研究主要内容如下：(1)采用硼酸熔盐法合成出两个立方相的稀土硼磷酸盐化合物K6Ln3B2P7O28(Ln=Lu, Y)，晶体解析结果表明发现这是一种硼氧基团和磷氧基团相互连接的稀土硼磷酸盐新化合物。这两个化合物晶体化学结构类似，均为立方晶系，FBU为近似岛状结构的[B2P7O28]15-。F-作为矿化剂并未进入晶体骨架结构。(2)采用硼酸熔盐法制备了K6Lu3-xB2P7O28: x RE (RE=Ce3+, Tb3+, Eu3+, Dy3+,Mn2+)以及K6Y3-xB2P7O28: x RE (RE=Ce3+, Tb3+, Eu3+, Dy3+, Sm2+)系列发光材料，首次研究了掺杂样品的荧光性能。XRD物相分析表明掺杂离子未改变基质化合物的晶体结构。荧光分析发现K6Ln2.97B2P7O28(Ln=Lu, Y):3%Ce3+发射峰均对应为Ce3+的5d→4f跃迁，且K6Ln2.97B2P7O28(Ln=Lu, Y):3%Ce3+均为单指数的快衰减。X射线激发K6Lu3-xB2P7O28: x Ce3+光谱分析发现2D→5F5/2和2D→5F7/2跃迁引起的发射峰有红移现象；K6Ln2.97B2P7O28(Ln=Lu, Y):3%Tb3+在近紫外光激发下的发射峰均对应为Tb3+的本征跃迁，峰形基本一致，CIE色坐标显示在绿光区。近紫外光激发下，K6Ln2.97B2P7O28(Ln=Lu, Y):3%Eu3+均发橙红光，发射峰也基本类似，对应为Eu3+的本征跃迁；在349nm的光激发下，K6Y3-xB2P7O28:x Dy3+的蓝光成分比K6Lu2.97B2P7O28: x Dy3+增加，可能是Dy3+在两种晶体中晶体场环境有差异，导致4F9/2→6H13/2的跃迁数目不同。Dy3+最佳掺杂浓度均为0.5%；在400nm的近紫外光激发下，Mn2+掺杂K6Lu3B2P7O28为发射宽峰，由Mn2+的4T1g(G)→6A1g(S)跃迁引发，Mn2+最佳掺杂浓度为10%，发橙黄光；K6Y3-xB2P7O28: x Sm3+的CIE色坐标在红光区，最佳掺杂浓度为4%，发射峰由Sm3+离子的4G5/2→6HJ(J=5/2,7/2,9/2)跃迁引起。(3)采用高温固相法对KSrBP2O8进行了Eu2+, Tb3+, Eu3+的单掺杂，并合成了KBa1-xBP2O8: x Eu2+系列试样。然后对样品的物相结构进行了XRD分析，并对样品的荧光性能进行了表征。结果发明，在近紫外光激发下，KSrBP2O8掺杂Eu2+样品发射出最强峰位于450nm左右的宽带峰，KBa1-xBP2O8: x Eu2+系列试样峰形与KSr1-xBP2O8: x Eu2+相似，且发射峰也均由Eu2+离子的4f65d1→4f7辐射跃迁引起。随着Eu2+掺杂量的增加，KSr1-xBP2O8: x Eu2+的CIE色坐标从蓝光区逐渐往绿光区方向移动。另外，KSr1-xBP2O8: x Tb3+和KSr1-xBP2O8: x Eu3+可分别在近紫外光激发下发射出绿光和红光，最佳掺杂浓度分别为4%和8%。将其中性质最好的KBa0.97BP2O8:3%Eu2+的试样与CaAlSiN3: Eu2+商用红粉按比例混合后，在常用的380nm InGaN LED芯片激发下发出色坐标在(0.323,0.319)的白光，表明KBa1-xBP2O8: x Eu2+在近紫外的白光LED用荧光粉方面有潜在的应用。