第二代高温超导材料YBa₂Cu₃O_7-δ（YBCO）由于具有高的不可逆场、临界温度（T_C）及临界电流密度（J_C）,从而被广泛地应用于各个领域。目前制备YBCO高温超导薄膜的方法很多,例如金属有机溶剂法（MOD）、脉冲激光沉积法（PLD）、金属有机化学气相沉积法（MOCVD）及激光化学气相沉积法（LCVD）等。其中LCVD由于激光光子能有效降低反应原子的反应活化能,促进化学反应,从而成为了制备高质量YBCO薄膜最具潜能的方法。本论文采用喷液雾化-多元共析激光化学气相沉积法（SAC-LCVD）在SrTiO₃单晶基板上成功制备出高性能的YBCO高温超导薄膜。另外,本论文还采用固相源的激光化学气相沉积法在（100）取向的MgO单晶基板上制备了高质量的CeO₂缓冲层薄膜,并研究了薄膜制备工艺参数对其YBCO高温超导薄膜及CeO₂缓冲层薄膜的取向、显微结构及结晶质量等性能指标的影响。对于在（001）SrTi O₃单晶基板上制备的YBCO薄膜来讲。当激光功率（P_L）为167 W时,制备的YBCO薄膜具有c-轴取向,其沉积速率(R_dep)为14μm h^-1,临界温度为91K,临界电流密度为2.8 MA cm^-2,外延生长模式为YBCO[001]//SrTiO₃[001]（YBCO[100]//SrTiO₃[100]）。随着激光功率的降低,薄膜取向由c-轴转变为a-轴,因此薄膜的电学性能也随之下降。通过该步骤的研究,确定了YBCO薄膜具有最佳电学性能时的工艺参数。不同的领域对YBCO薄膜的取向需求不同,本论文为了进一步研究如何制备不同取向YBCO薄膜,分别在（001）、（110）和（111）取向的SrTiO₃单晶基板上制备了a-轴、c-轴、（103）/（110）和（113）取向的YBCO薄膜。所制a-轴取向YBCO薄膜面内外延生长关系为YBCO[100]//SrTiO₃[001]（YBCO[001]//SrTi O₃[100]）,c-轴取向YBCO薄膜面内外延生长关系为YBCO[001]//SrTiO₃[001]（YBCO[100]//SrTi O₃[100]）。（103）/（110）取向和（113）取向的YBCO薄膜面内外延生长关系分别为YBCO[110]//SrTi O₃[110]（YBCO[010]//SrTi O₃[010]）及YBCO[100]//SrTiO₃[100]（YBCO[113]//SrTiO₃[111]）。在研究CeO₂缓冲层薄膜时,选取了（100）MgO单晶作为基板。所制CeO₂缓冲层薄膜的（200）面ω扫描与（220）面?扫描的半高宽（FWHM）分别为1.0°与2.1°。沉积的（100）取向CeO₂薄膜外延生长模式为立方-立方外延生长。薄膜表面分布有矩形颗粒,横截面为柱形颗粒。沉积速率为16-24μm h^-1。