自旋电子器件在存储密度以及信息传输处理速度方面具有很大的优势。然而,自旋电子器件自旋注入层材料的选择一直是难以解决的问题。随着研究的深入,铁氮化合物逐渐进入研究工作者的视野,其丰富的磁性,良好的耐磨性、抗腐蚀性以及抗氧化性使之具有很大的应用潜力。具有铁磁性的铁氮化合物包括:ε-Fe₃N、γ′-Fe₄N以及α?-Fe₁₆N_2。它们有较强的饱和磁矩和很高的自旋极化率。其中,ε-Fe₃N与半导体材料GaN晶格匹配高,因此将两者结合起来为自旋电子器件的制备提供了新的途径。目前,铁氮化合物特别是ε-Fe₃N的磁电性质尚未有统一的结论。为此,我们制备了Fe-N/GaN异质结构,并对其晶体结构、表面形貌、特别是磁电性质进行了研究。另外,我们也探索了利用磁控溅射在石英玻璃衬底上制备非晶Fe-N薄膜。通过研究,本论文取得的主要结论如下:1.利用磁控溅射Fe薄膜和高温氨化两步法在GaN衬底上制备了两个样品,分别是磁控溅射10min的Fe-N（10）/GaN异质结构和磁控溅射20min的Fe-N（20）/GaN异质结构。Fe-N薄膜中含有包括FeN、Fe₂N、Fe₃N的多种晶相。其中,六角晶格的Fe₃N相提供了Fe-N/GaN异质结构的铁磁性,使得该异质结构具有应用到自旋电子器件中的潜力。磁性测量结果表明,Fe-N/GaN异质结构的饱和磁化强度随温度的升高而降低。特别地,Fe-N（10）/GaN异质结构的矫顽力随着温度的升高明显降低;Fe-N（20）/GaN异质结构的矫顽力基本不依赖于温度且磁各向异性随着温度升高而增强。Fe（20）/GaN异质结构表面Fe-N薄膜的能带态密度测量结果与Fe薄膜有明显差别,主要体现在未出现3d能带。2.利用高温直流磁控溅射在石英玻璃衬底上制备了无定型的Fe-N薄膜。磁性测量结果表明样品具有明显的铁磁性,饱和磁化强度随温度升高而下降,低温5K与室温300K下矫顽力分别约为150Oe和45Oe。电学测量结果表明样品具有良好的导电性。