Ga N的材料特性具有较宽的禁带宽度和较强的抗辐射强度,同时其共价键键能比较大,这些都使得它成为半导体核辐射探测领域的一个理想材料。目前使用较为普遍的Si基材料因其不能在高温、强辐射环境下应用而受到限制。因此对Ga N基核辐射探测器的研究就十分必要了。本文首先介绍了核辐射探测器的分类以及Ga N材料的相关特性,再详细阐述了Ga N材料的主要制备方法及其工作原理。其次在文中讨论了,有关制备欧姆接触的合金方案以及退火方案。介绍了工艺过程中较为重要的光刻工艺,以及光刻板的绘制。同时通过软件仿真对器件的电学性能进行模拟。也将Ga N基核辐射探测器对α粒子的探测效果进行仿真计算,对能量不同得α粒子与探测器在不同反向偏压下的作用情况进行了模拟仿真。发现随着α粒子能量增大,其在探测器内部的射程及收集电荷也将增加。而后详细描述了器件制备的工艺流程,以及每一步的具体工艺参数。最后,本文测试了Ga N外延的质量,同时测试了制备的Ga N基核辐射探测器电学性能,当外加反向偏压为100V时,器件的反向漏电流为9.9μA,这满足了制备核辐射探测器的要求。最后对未来工作进行展望。