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传统硅基太阳能电池不仅转换效率高,而且其使用寿命长达20年以上。然而,硅太阳能电池的制作要用到高温扩散,离子注入等复杂且高成本的工艺。如何进一步降低制备温度和简化制备工艺是硅基太阳能电池发展的趋势。其中,采用新型电荷传输层与硅结合形成异质结光伏器件和利用硅纳米结构来增加陷光能力来提高硅基电池的效率成为了人们研究的热点。本论文结合硅纳米结构阵列及其表面修饰方法,研究了硅/PEDOT:PSS杂化太阳能电池和硅/过渡金属氧化物(TMO)异质结光伏器件的界面特性和光电特性。主要研究内容分为以下三部分:(1)