基于0.18μmCMOS工艺的8bit插值结构闪存式模数转换器设计

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在信息化时代的背景下,模数转换器的重要性与日俱增,对于转换速度、功耗、面积额的要求也越来越高。这些性能好坏决定了整个信号处理系统的性能,也同样间接地决定着模数转换技术的水平。插值结构闪存式模数转换器以它高速低功耗、小面积的特点越来越得到人们的关注。本文基于Cadence平台,运用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种8位1GHz的插值结构闪存式模数转换器,它主要包括:带隙电压基准源、电阻分压网络、前置放大器、插值电阻结构、高速锁存比较器、气泡码消除电路、编码器电路。其中,带隙基准电压源采用PTAT电流生成结构,在-50℃~80℃区间进行温度仿真,得出温漂系数为8.3ppm/℃。采用开环正反馈结构作为前置放大器,仿真出其增益为38.4dB,单位增益带宽为743MHz。由动态锁存结构和自偏置差分结构构成的高速锁存比较器,在5GHz的时钟频率下,不仅实现了比较功能,还达到了21ps的响应时间。电阻插值结构,提高了过零点个数,节省了近四分之三的前置放大器,节约面积,降低功耗。整体仿真结果表明:电源电压为1.8V,采样频率为1GHz,输入信号为20MHz正弦波,静态特性INL为0.35LSB,DNL为0.2LSB;动态特性SNR为44.3dB,SNDR为41.6dB,SFDR为54.35d B,ENOB为7.1bit,功耗为234mW,整体版图面积为2.36mm2,并且通过了DRC和LVS验证。
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