随着Ⅲ-Ⅴ族半导体工艺技术的不断进步,微波单片集成电路也变得尺寸更小、成本更低、功耗更小、噪声更低、功率密度更大,所以越来越广泛的应用在现代通信、雷达系统和导弹制导等电子装备上。本论文采用砷化镓工艺分别对低噪声放大器和高效率功率放大器的设计进行了研究,主要的研究内容如下:设计了一款工作频率为2.0~2.15GHz的4W微波单片功率放大器。电路采用两级放大拓扑结构,选用砷化镓0.25um pHEMT工艺,利用负载牵引技术得到放大管在最佳输出功率时的输出阻抗,设计匹配电路,保证放大器有最大输出功率。功率放大器的末级采用Bus-Bar结构,同时实现直流馈电与功率合成,即保证了末级合成效率也方便实现漏极的大电流馈电。最终版图仿真结果,在2.0~2.15GHz的频率范围内,输出功率大于36dBm,增益大于35dB,效率大于40%。设计了一款8mm波段(24~40GHz)微波单片低噪声放大器,电路采用三级放大链路,选用砷化镓0.15um pHEMT工艺,输入级和级间匹配采用最低噪声匹配,保证电路整体的低噪声水平。第三级电路使用Lang耦合器将第三级低噪声放大器合成输出,既保证了输出端的端口驻波,也可以提高输出功率。最终版图设计在24~40GHz范围内噪声低于2.2dB,增益大于17dB。