基于微电子技术的半导体桥(Semiconductor Bridge, SCB)因具点火可靠性高、点火时间短、点火能量低、工艺简单、体积小、且与传统数字逻辑电路兼容等优点,可替代传统热桥丝火工品而广泛应用于军用及民用领域,诸如弹药点火、汽车气囊等等。本文在介绍了半导体桥的基本结构及点火机理后,从桥区结构、基底材料以及桥区尺寸等角度分析对影响半导体桥点火性能的基本因素;而后基于这些选择采用TCAD进行器件的结构仿真。并进行发火电路的设计和仿真,以及对SCB进行ESD保护和EMI保护的电路的设计仿真。此外,还对保护器件进行了TCAD的器件模拟。另外也介绍了国外一些新型SCB结构与工艺,提出一些SCB集成化的看法和观点,以进一步拓展CMOS-SCB的点火可靠性和点火效率及其应用价值。本研究主要结论如下:1)使用硅材料以及CMOS工艺可有效降低SCB成本,提高器件集成度,增加应用性功能的集成化;2)采用肖特基二极管可有效进行SCB的ESD保护,MOS电容可以进行器件高频的防护;3)验证SCB芯片系统的集成化实现的可行性。本文的重要目的也在于用模拟仿真的方法为基于硅CMOS工艺的SCB芯片系统提出一些可行的解决方案。