众所周知,由于受场源的影响,三维 CSAMT 变得十分复杂。场源的存在产生了一系列的效应,比如说近场效应,场源复印效应,阴影效应等等,目前仅仅知道它们的存在,其影响规律和校正方法尚待研究。因此,进行三维 CSAMT 法的正演研究是十分必要的。基于积分方程法编写的三维正演软件 INTEM3D_v2 在研究三维 CSAMT 的正演规律方面起到了很好的效果。在本论文中,我们针对这些场源效应设计了不同的模型,利用该软件进行正演计算,初步探讨了其规律。当场源为偶极子源时,在远区得到了与面波响应相似的结果,对于两种装置来说,远区场的范围不尽相同。在赤道装置情况下,远区场的范围大概为r ≥ (3 ～ 4)δ;在轴向装置情况下,远区场的范围大概为 r ≥ 5δ。不管是赤道装置还是轴向装置,当地下存在的三维异常体为低阻时,好像扩展了远场区的范围,使得介质有比较小的趋附深度;反之,当地下存在的三维异常体为高阻时,则缩小了远场区的范围。当发射源下方有局部不均匀体时,对异常体响应的影响各不相同。对于赤道装置来说,当场源下是一阻体时,对于高频来说近场区域有轻微的变化。当场源下存在一个较小的三维导体时,远场区域扩展到更深的频率或更靠近发射源。对于轴向装置来说,当发射源下存在一三维导体时,并没有像赤道装置那样出现大的过渡区响应;这导致了远区场频率范围明显增加。由于主场的衰减,场源的存在还产生了阴影效应。赤道装置和轴向装置相比,轴向装置受到阴影效应的影响更大;当目标体分别为低阻体和高阻体时,高阻体受到阴影效应的影响更大。当目标体是一三维导体时,相对于无导电覆盖层来说,导电覆盖层产生的电流通道增强了目标体的响应。当目标体上方存在局部不均匀体时,会产生静态效应。静态效应的存在对视电阻率的影响很大,对相位的影响微乎其微。