本文用分子束外延法在半绝缘GaAs（001）衬底上成功生长了InSb/InAsSb超晶格薄膜材料,并对薄膜表面形貌、断面形貌、晶体结构、元素扩散和光电性能等进行了研究。对所生长薄膜的能带结构进行模拟计算,结果表明:无论是压应力还是拉应力,均使材料的禁带宽度减小。设计并生长了InSb/InAsSb超晶格薄膜样品,并通过试验方法确定出缓冲层生长工艺参数,结果表明:在570℃、Ga束流为2×10^-7torr时生长的GaAs缓冲层质量较好。采用原子力显微镜观察分析薄膜的表面形貌,结果表明:与420℃相比,在450℃所生长的InAsSb薄膜的表面粗糙度较小,但个别地方有条形缺陷。采用扫描电子显微镜观察薄膜的断面形貌,得出元素分布情况,结果显示薄膜断面从基体到表面的解理条纹连续分布,说明薄膜各层间共格良好。利用双晶X射线衍射方法对薄膜晶体质量进行评价,分析结果显示出了尖锐的衍射峰,表明薄膜的结晶质量良好。采用XPS方法对薄膜的成分分布与元素扩散进行分析,结果表明:薄膜各层间存在元素的扩散,450℃生长的薄膜Ga的扩散层深达100nm左右,As的扩散层深则达到120nm之多。且超晶格InAsSb层中,As:Sb值稍小,不掺杂层中有少量Si扩散。研究还表明在420℃生长的样品中,在超晶格界面处Sb除了有一个纯Sb的峰外,还有Sb-As共价键的峰,且超晶格中As也发生了一定的扩散。采用红外吸收光谱法对样品的红外吸收性能进行分析,结果表明在10¹7μm长波段薄膜红外响应性能良好。使用霍尔测试方法对样品的电学性能如迁移率、载流子浓度等进行测试,结果显示:随着温度升高,电子扩散程度和载流子浓度增大,表面电阻率减小,霍尔系数变小;在室温下和在液氮温度下材料的迁移率差别不大。