近年来，由于蓝光和绿光氮化镓基发光二极管（GaN基LED）具有发光效率高、节能、寿命长、尺寸小和污染小，极大地激起了人们将之应用于背光源、汽车前灯、通用照明领域的研究兴趣。虽然蓝宝石衬底上氮化镓基发光二极管产业取得了显著发展，但在通用照明领域中，GaN基LED仍然需要更高的发光效率和光输出功率。如何提高GaN基LED发光二极管的发光效率和光输出功率受到了人们的广泛关注。本文采用Veeco K465i型MOCVD设备在2英寸（0001）方向蓝宝石平面衬底上生长氮化镓基绿光外延片，并通过芯片标准工艺制成178×229μm~2的LED芯片，以研究n-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN电子阻挡层对GaN基LED发光效率和发光强度的影响，具体的内容如下：1、研究了在n-GaN与发光复合区之间的n-AlGaN电子阻挡层对LED光电性能的影响。其中在20mA驱动电流下，n-AlGaN在n型区作为电子阻挡层，相对于90nm的n-AlGaN的LED芯片I_v值305.2mcd，100nm和110nm的n-AlGaN的LED芯片I_v值分别提高了5.4%和11.3%；2、研究了在p-GaN与发光复合区之间的p-AlGaN电子阻挡层对LED光电性能的影响。其中在20mA驱动电流下，p-AlGaN在p型区作为电子阻挡层，相对于50nm的p-AlGaN的LED芯片I_v值326.46mcd，55nm和60nm厚p-AlGaN层的绿光LED芯片I_v值分别下降了3.93%和6.88%。上述结果表明，采用经过优化的n-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN电子阻挡层，有助于提高绿光GaN基LED发光效率和光输出功率，并在高效率和大功率GaN基LED领域具有重要的潜在应用价值。