本论文主要介绍的是基于SOI技术的SiGe异质结MOS器件。 与体Si器件相比, 采用SiGe材料的异质结器件已经在许多方面显示出了强大的优势:譬如更大的载流子迁移率，更大的跨导，更强的电流驱动能力以及更快的电路速度等等。在论文中我们给出了两种不同的材料结构来与体Si材料进行比较，用应变的Si Cap层和弛豫的SiGe材料层构建NMOS管，用弛豫的Si Cap层和应变的SiGe材料层构建PMOS管。通过比较实验我们可以获知, 应变Si材料中的电子迁移率相比于体Si材料最大可有48.5%的提高，而应变SiGe材料中的空穴迁移率相比于体Si材料可有近15%的提高。论文的第二部分介绍了SOI器件的优点: 无latch-up效应， 较低的源漏寄生电容以很容易形成浅结等，并对具体的机理作出了相应的解释。之后我们研究了SOI MOSFET的BMHMT工作模式，同时介绍了这种工作模式的优点: 驱动电流大,可替代BICMOS电路中的三极晶体管实现BICMOS电路。除了理论上的探究和了解，本文就具体的设计问题，包括器件结构设计，版图设计以及工艺参数设计都进行了详细的讨论，并对流水问题中遇到的一些反常现象作出了理论上的推测以及模拟层次上的验证。最后，我们基于Silvaco软件模拟并调节了杂质注入的能量和剂量，并结合实验结果调整了PMOS管和NMOS管的阈值电压，制备出了合格的BMHMT工作模式的SOI异质结MOSFET单管。针对具体的材料结构, 我们还对UHV/CVD设备生长的SiGe材料进行了DCXRD， TEM， SIMS和AFM测试及分析。