磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,具有诸多优异特性,作为衬底材料广泛应用于光电子与微电子领域。熔体组分配比度能够影响磷化铟中不同晶体缺陷的产生,对磷化铟材料的应用具有重要影响。通过磷注入合成法与液封直拉技术（LEC）制备不同化学配比的磷化铟晶体,并对不同化学配比的磷化铟中的不同晶体缺陷进行研究,得到以下结果:（1）采用化学腐蚀的方法对近化学配比的磷化铟晶片进行腐蚀,通过金相显微镜与白光干涉仪对{100}、{111}_In、{111}_P晶面的位错腐蚀坑进行研究。{100}面与{111}面中的位错腐蚀坑分别呈矩形和等边三角形,通过测量腐蚀坑的深度与边长,计算出腐蚀坑的坡度,发现不同晶面中的位错腐蚀坑坡度约在10°左右。对比{111}_In面中不同深度的位错腐蚀坑坡度,发现位错腐蚀坑深度越大坡度越大。（2）铟夹杂是磷化铟中因熔体富铟而产生的体缺陷,采用金相显微镜与红外透射显微镜相结合的方法,研究了磷化铟晶片中铟夹杂的形貌,发现单晶磷化铟中的铟夹杂大多呈规则的长条形多面体结构,并且从宏观上发现铟夹杂具有明显的方向性,在{100}晶面上都沿<110>晶向分布,而在多晶中的铟夹杂的形状各异,无明显规律性。通过比较不同的含有铟夹杂的晶体与晶片,结合熔体组分配比度、固液界面形貌以及温度梯度对组分过冷以及扩散边界层中富铟程度的影响,总结了铟夹杂在富铟磷化铟中的纵向与横向分布行为。（3）在含有铟夹杂的单晶片中发现铟夹杂的一种环形分布行为,对该晶片进行红外透射显微镜测试得到了清晰的铟夹杂分布图,对比和它相邻的晶片,发现这种环形分布呈现出沿生长方向从上到下直径逐渐变小的趋势,初步分析与固液界面呈现出微凸的形貌有关。（4）采用近红外分光光度计测试了富铟的半绝缘磷化铟晶片中不同位置的透过率,通过计算红外吸收系数,结合光电离截面系数,计算出不同位置的铁激活率。发现晶片边缘的铁激活率最高,分析了固液界面形貌对铁激活率的影响。通过比较相邻晶片中的铁激活率,发现靠近尾部的晶片铁激活率更低,推测熔体富铟对铁激活率产生了影响。