自2004年发现石墨烯以来,二维材料的研究成了当下的研究热点。二硒化锡(SnSe2)因为其独特的性能引起了不少科学家的兴趣,展开了广泛的讨论与研究,然而关于它的掺杂产物SnS2-xSex材料的报道却在少数。这是由于目前制备高质量超薄的SnS2-xSex材料存在很大的挑战,同时关于不同掺杂程度的SnS2-xSex材料XRD图谱与拉曼光谱的报道也很少。针对上述问题,本文采用化学气相沉积(CVD)法在含二氧化硅层的硅片上制备二硒化锡,在云母片上制备了SnS2-xSex材料,并通过光学显微镜、XRD等技术手段对其形貌、结构进行了表征,同时对它们的光学性质进行了研究。通过不同厚度的SnSe2纳米片的拉曼光谱的比较,我们发现其厚度与拉曼峰的偏移存在一定的关系。通过不同掺杂浓度的SnS2-xSex材料的XRD图谱与拉曼光谱,我们可以估计SnS2-xSex掺杂浓度。通过紫外可见吸收光谱与光致发光光谱计算,我们得到的SnS2-xSex材料的禁带宽度,发现了掺杂可以改变材料的带隙,为以后的研究给出了好的方案。主要内容具体包括:(1)采用改进的CVD法制备了大面积的SnSe2材料,并对其样貌、结构和晶体质量进行了表征,表明制备的样品是高质量的SnSe2材料,生长方向主要以(001)面为主。拉曼光谱证明制备的二硒化锡为1T相晶体,为以后的制备方案提供了一种新的思路。对不同厚度的SnSe2材料进行拉曼测试,发现SnSe2材料的厚度与拉曼峰位置和强度的关系。(2)采用改进的CVD法制备了大面积的SnS2-xSex,并对其样貌、结构进行了表征,然后通过对不同掺杂浓度的SnS2-xSex材料进行XRD图谱与拉曼光谱的分析,估算我们所生长的材料的成分。通过对生长的SnS2-xSex材料进行紫外可见吸收光谱与光致发光光谱的测量,发现掺杂会改变材料的光学带隙,这对将来研究不同的光学带隙下的光学器件提供了支持。我们使用CVD法制备了 SnSe2和SnS2-xSex材料,并研究了它们的拉曼光谱以及XRD图谱.通过S掺杂可以有效的调节化合物的带隙,为之后的带隙可调的二维材料制备提供了一种思路。