Si掺杂[Ge/SiO2]N光子晶体红外与激光隐身一体化设计

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传统红外隐身材料发射率较高,散热和红外隐身性能差。光子晶体由于其光子禁带特性可对特定波段的红外光产生布拉格反射,降低目标的吸收率,实现低红外发射率。国内外现已有较多学者进行红外隐身光子晶体的设计,然而多数只涉及高、低折射率材料的组合,但材料和结构往往决定了光子晶体实际隐身性能的优劣,目前从理论出发分析光子晶体亚层材料、结构等因素对隐身性能影响较少。为制备更符合实际复杂工况的隐身光子晶体,本论文系统分析了光子晶体应用于红外与激光隐身的相关理论,探究外部环境、结构和材料因素对光子晶体红外隐身性能的影响,并设计一体化结构以实现红外与激光兼容隐身。本论文的主要工作及结论如下:(1)根据传输矩阵法分析了单层薄膜、多层膜系的光学传输特性。基于波动光学理论和麦克斯韦方程组,推导出光子晶体实现高红外反射率的理论公式。对s层薄膜的特征矩阵乘积运算发现,当高、低折射率材料的折射率比值n1/n2越大,光子带隙宽度变宽的趋势越明显,且光子带隙宽度与中心波长之间呈正线性相关性。(2)构造[Si/MgF2]5和[Ge/SiO2]5两种一维光子晶体,分别计算入射角、周期数、薄膜尺寸和折射率对光子晶体红外隐身性能的影响,其中特别分析了色散、消光、压力和潮湿等折射率影响因素。结果表明,当入射角小于45°,周期数大于5时,可使光子晶体的反射图谱与红外隐身需求之间保持良好的一致性。高反射区参数可通过改变薄膜材料与尺寸控制,叠加中心波长为4μm和11μm的光子晶体,形成的复合结构PC9和PC10在3~5μm和8~14μm均表现出约100%的平均反射率。(3)在[Ge/SiO2]N结构中引入Si缺陷层,实现激光与红外隐身兼容。缺陷层的引入会增加带隙宽度;缺陷层尺寸和折射率增加会使透射峰峰值变大并红移。优化了膜层厚度,并设计了替换式和镜像式两种结构。其中替换式以0.4μm的Si缺陷层取代PC7-c中第三周期的Ge层,而镜像式以1.56μm的Si缺陷层构造[Ge/SiO2]Si[SiO2/Ge]镜像结构,将这两种结构分别与PC5-c叠加后,不仅在3~5μm和8~14μm波段平均反射率大于0.8,而且在10.6μm处透射率约为1,均成功构造红外与激光一体化结构。
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