铜互连化学机械抛光（CMP）是集成电路制备过程中的关键工艺,但CMP后表面会存在颗粒、有机物等污染物,影响器件的可靠性和良品率,同时低k介质材料在大机械压力下易出现薄膜脱层现象。因此,解决低压条件下Cu-CMP后清洗具有极强的实用价值,也是目前微电子行业面临的国际难题。本文主要针对低压条件下Cu-CMP后的主要颗粒污染物SiO₂磨料和主要有机污染物苯并三氮唑（BTA）进行分析实验研究,具体包括:依据BTA及颗粒的吸附机理,分析了以螯合剂与活性剂为基础的清洗剂去除BTA及颗粒的有效性;通过对比实验证明课题组自主研发的FA/OII螯合剂相对于国际主流清洗材料TMAH、柠檬酸,具有较强的清洗能力;利用抛光机抛洗替代PVA刷洗,对比实验表明在相同清洗剂条件,抛光机在抛光转速为55r/min、下盘转速为60r/min、压力为20psi、流量为2L/min抛光1min的抛洗结果与PVA（聚乙烯醇）刷洗1min,清洗液流量为2L/min的清洗效果基本相同,这为研究低压提供了前提条件。研究不同压力下FA/OII螯合剂、活性剂对BTA及颗粒的去除规律,在此基础上研发了适用于低压条件的新型碱性清洗剂。同时研究了温度和放置时间对新型碱性清洗剂的影响:清洗液化学作用与温度相关,温度改变,会导致清洗液清洗能力变化;放置时间是清洗剂稳定性的表征参数,放置时间越长,清洗剂清洗能力会降低,但目前关于放置时间与温度对清洗剂稳定性方面的报道还很少。因此,研究温度和放置时间对新型碱性清洗剂的影响有极强的实用价值。通过大量实验研究确定优化配比为:150ppmFA/OII螯合剂、30ppmFA/OI螯合剂以及1000ppmO-20活性剂组成的新型碱性清洗剂,在温度为25³5℃时,去除能力较佳,且此时满足粗糙度低、表面腐蚀可控、低压的要求,并发现该新型碱性清洗剂静置1个月,清洗效果基本不变,稳定性好。该新型碱性清洗剂可以有效去除低压条件下Cu-CMP后清洗的颗粒及BTA,适用于工业应用。