聚偏二氟乙烯(PVDF)以及二氟乙烯、三氟乙烯的共聚物P(VDF-TrFE),具有自发极化强度相对高、极化稳定性强、极化翻转时间短等优点,以及其柔性、兼容性以及易制备性,在世界范围内受到越来越多的关注。用铁电聚合物薄膜制备的非易失性存储器,与半导体集成工艺拥有很好的兼容性,具有柔性、高存储密度、低成本、低功耗、快速读写等特点,有着广阔的应用前景和极大的应用市场。本文基于铁电聚合物,分别制备了铁电薄膜柔性电容结构、铁电／缓冲层复合电容结构,以及铁电场效应晶体管(FeFET)结构,分别表征其形貌结构和电学性能,确定了基板弯曲对铁电膜的影响。主要研究内容包括：1、研究了基板弯曲对柔性铁电薄膜电容结构电学性能的影响。利用Sawyer-Tower电路测定薄膜在不同曲率弯曲下的电学性能,给出电滞回线和开关特性曲线,分析了铁电膜矫顽场、剩余极化、电学保持能力、抗疲劳性能和漏电流随基板弯曲的改变。2、研究了铁电／缓冲层复合电容结构的电学性能,获得改善的电性能。制备不同厚度的铁电／缓冲层复合电容结构,同样利用Sawyer-Tower电路测定薄膜的电学性能,主要针对保持性能和漏电流的改善进行了比较和分析。3、研究并比较了铁电场效应晶体管(FeFET)结构的输出特性和转移特性。在氧化物半导体MOS结构的基础上,结合铁电膜旋涂工艺,制备场效应晶体管,优化结构参数,以改善存储结构的存储性能和电学稳定性,测试其输出和转移特性曲线,研究铁电薄膜对阈值电压的调制、半导体载流子迁移率和器件存储开关比。