随着超大规模集成电路的集成化程度不断提高、元器件尺寸不断缩小、工作频率不断增高和功耗不断降低,要求元器件供电电源的电压不断地降低、工作电流却不断增大。MOSFET以其开关速度高,开关和驱动损耗低等特点在各种功率变换,特别是在高频功率变换中扮演着重要角色,同时也对击穿电压低的MOS管提出了更高的要求。随着横向双扩散MOS晶体管(LDMOS)的逐渐发展,其耐压高,热稳定性好,频率稳定,更高增益等性能日益突出,LDMOS成为高压集成电路和功率集成电路的关键技术,已经广泛应用在航空、航天、控制系统、通信系统、武器系统等方面。本文在充分了解及分析国内外功率器件静电放电和电热效应方面研究现状的基础上,提出了基于LDMOS结构的MOSFET器件的方案,在改进型的LDMOS结构上,增加了接触沟道、隔离片,导电漏极带等制作工艺,通过仿真模拟,在新方案中的LDMOS器件较好地解决了传统结构中存在的提高器件的反向击穿电压会导致器件的导通电阻增加的矛盾,进一步提高元器件的性能和功率。