【摘 要】
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该文对应用于超大规模集成电路低阻接触材料的CoSi和NiSi薄膜进行了三个方面的研究:CoSi薄膜在Si(100)衬底上的外延生长、CoSi薄膜的应力研究以及NiSi薄膜热稳定性的研究.通
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该文对应用于超大规模集成电路低阻接触材料的CoSi<,2>和NiSi薄膜进行了三个方面的研究:CoSi<,2>薄膜在Si(100)衬底上的外延生长、CoSi<,2>薄膜的应力研究以及NiSi薄膜热稳定性的研究.通过在沉积Co的过程中适当加热Si衬底,得到了强织构的Co薄膜,并直接通过织构的Co薄膜与Si(100)衬底的高温固相反应生成了外延质量良好的CoSi<,2>薄膜.我们通过在Si衬底中注入C<+>离子,提高了Si衬底的原子表面电子密度,降低了CoSi<,2>薄膜与Si衬底之间的电子密度差,从而有效地减小了CoSi<,2>薄膜的应力.NiSi被认为是下一代超大规模集成电路MOS器件中的接触材料.运用热力学理论就掺入Pt对NiSi<,2>形核激活能和形核监界尺寸的影响做出了半定量的分析.
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