标准单元库在整个ASIC后端设计中的各个阶段扮演着极其重要的角色,一个性能优良的标准单元库可以给设计最终的成功提供有力的保障。如何有效的发掘单元库本身的潜力、提高其性能是一项值得深入研究的内容。文章结构大致分为三大部分:　　首先是根据研究背景和现状提出了本次研究的目的,然后简单介绍了ASIC后端设计的大致流程和标准单元库的内容,包括标准单元的类型和一些关键的工艺库文件。　　接下来用并联拼接单元的方式,从丰富驱动能力的角度对原标准单元进行了扩展,然后通过具体的设计实例对原标准单元库和扩展单元库进行了对比验证,结论表明扩展后的单元库在同样的时序约束下,使得时序违例的路径得到了优化而满足时序约束要求。　　最后部分是通过调整MOS管的沟道尺寸,从亚阈值性能的角度对原标准单元进行了优化,用具体的逻辑电路实例通过逻辑综合整体分析了前后两个单元库的能量延时积等参数,结论表明亚阈值单元库在能量延时积上有了明显的降低,更适合在亚阈值下工作。