本文主要采用溶胶-凝胶AAO模板法制备ITO准一维纳米结构及ITO/C复合一维纳米结构,并研究合成ITO准一维纳米结构的影响因素。通过FE-SEM,HRTEM ,XRD,XPS等分析测试方法对所得一维纳米结构的微观形貌、结构、相组成、元素含量等进行了表征和分析,同时对所得一维纳米结构进行了常温气敏性能和光致发光性能测试。研究结果表明,以水合硝酸铟、五水四氯化锡为原料,分别以乙酰丙酮、乙二醇甲醚为溶剂,用溶胶-凝胶法制备出长时间均匀稳定的溶胶,可以作为制备ITO准一维纳米结构的前驱体。采用直接浸渍法制备ITO一维纳米结构时,由于物质沉积量过少,不能形成大量形态完好的一维纳米结构。多次浸渍法可以解决简单浸渍法中物质沉积量过少的问题,增加浸渍次数可以得到一维纳米结构。在采用乙二醇甲醚为溶剂的溶胶为前驱体,溶胶浓度为1.5M,采用多次浸渍法成功合成了表面光滑,平直完整的ITO纳米管,XRD与XPS分析结果表明,产物在550℃热处理后为立方铁锰矿结构的In₂O₃,Sn⁴⁺已经掺杂到In₂O₃的晶格中,铟锡比与初始配比基本吻合。纳米管长约十几微米,直径在200-300nm之间,这在文献中还未见报道。采用溶剂蒸发凝聚法成功合成了ITO纳米线,采用改进的溶胶-凝胶模板法成功制备了ITO纳米管,纳米管平直排列。气敏测试结果表明,以乙酰丙酮为溶剂的溶胶为前驱体采用多次浸渍法所得ITO纳米管室温下对H₂具有很好的敏感性,当所加电压为5V,ITO纳米管对1000ppm氢气的灵敏度为168%,响应时间193s,恢复时间为20s。光致发光性能测试发现,激发光波长为250nm时,所得ITO纳米管的光致发光谱中有一个强而宽的蓝光带,相对于纯In₂O₃发生了红移,而且在相同条件下所得纳米粉体没有光致发光性能,这可能是由于氧空位和Sn元素掺杂作用而形成Sn杂质能级引起的。.首次利用溶胶-凝胶模板法制备出ITO/C复合一维纳米结构,并在紫外光区观察到光致发光峰, ITO/C复合一维纳米结构的制备成功为溶胶-凝胶模板法是制备一维纳米复合材料提供了思路。