有机电子器件的制备工艺简单,成本低,可以大面积批量制备,可与柔性衬底兼容,完全可以满足低端电子产品产业化的需求,已在诸多领域成功应用。针对酞菁系有机材料良好的光敏特性,本文选用酞菁系有机半导体材料（MPc）中的三种,酞菁锌、酞菁铅和酞菁铜,以其作为有源层,采用多功能镀膜系统中的真空镀膜和磁控溅射工艺,制备了垂直结构有机光电晶体管。结构为氧化铟锡ITO/MPc/Al/MPc/Cu的三明治结构。其中Al与MPc形成肖特基接触,ITO/Cu与MPc形成欧姆接触。制备流程是依次将ITO、有机物MPc、Al、有机物MPc和Cu淀积在普通玻璃基片上。首先测试并分析了有机薄膜与基极铝膜的肖特基接触特性。接着测试了器件在暗状态下的输出特性。结果表明晶体管驱动电压低,输出电流高,并呈典型的不饱和电流电压特性。在偏置电压V_ec=3V,V_b=0V时,三种材料所制备的器件输出电流分别为酞菁锌I_ec=5.9×10^-5A;酞菁铅I_ec=5.7×10^-5A;酞菁铜I_ec=6.6×10^-6A。根据有机半导体材料在可见光范围内的吸收光谱,分别用光吸收峰值处（三种材料对应为618nm,800nm和625nm）的光照来照射相应器件,对其进行光电特性测试和分析。选取V_ec=3V时,分析器件在有无光照条件下的电流放大倍数。酞菁锌器件在618nm光照条件下的电流放大比为1.25-1.33倍;酞菁铅器件在800nm光照条件下电流放大比为2.91-3.34倍;酞菁铜器件在625nm光照条件下放大倍数为1.91-2.64倍。酞菁铅光电流放大倍数要比其他两种材料大。此外,通过转移特性曲线可得到,输出电流随着基极偏压的增大而减小。最后以酞菁铜器件在次波峰700nm波长光照条件为例,对有机晶体管的光敏机理进行分析。通过计算得出光照后基区的肖特基接触势垒高度降低了10meV,使得注入基区进而流向集电区的载流子数量变大,即形成了光敏电流,使输出电流倍增。