GaN/PEDOT:PSS混合肖特基二极管特性研究

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近年来,由于器件的特性可以通过改变有机物的化学结构来调节以及相对廉价的成本,人们对有机-无机混合异质结电子器件,尤其是太阳能电池的关注度不断提高。在此背景下,本文通过实验研究了无机n-GaN材料和有机材料PEDOT:PSS形成的混合肖特基结二极管,深入研究这种混合结构在不同温度退火、等离子处理、和不同溶液处理情况下的I-V特性,主要研究工作和成果如下:1)首先具体介绍了PEDOT:PSS材料的基本性质和制备方法—旋涂法,研究了PEDOT:PSS的薄膜厚度与转速的关系:旋转速度越高,旋转时间越长,薄膜厚度越薄,薄膜的均匀性越好;然后研究了GaN表面预处理对旋涂有机薄膜质量的影响,发现做等离子处理可以改善PEDOT:PSS有机薄膜在n-GaN表面的成膜质量,使有机膜厚度更加均匀。2)研究了对n-GaN表面采用等离子处理、1:1的HCl溶液、1:1的HF溶液和1:5的氨水溶液浸泡3min等处理方法对n-GaN/PEDOT:PSS形成的肖特基结特性的影响。研究发现:相比未做任何处理的样品,对n-GaN表面采用氧气等离子处理后,理想因子由2.0降低为1.87,饱和电流由6.13105A降低为2.52108A,肖特基势垒由0.67eV变为0.77eV;用1:1的HF酸溶液浸泡3min,理想因子由2.0降低为1.57,饱和电流由6.13105A降低为6.83108A,肖特基势垒由0.67eV变为0.85eV。正向导通电流均增大。3)研究采用不同温度退火对n-GaN/PEDOT:PSS形成的肖特基结特性的影响,研究发现:随着退火温度的增加,n-GaN/PEDOT:PSS肖特基结的性能先变好后退化,主要表现为随着退火温度的增加,其理想因子和反向饱和电流均为先减小后增大,正向导通电流和肖特基势垒均先增大后减小。本实验结果表明,退火温度在120℃左右为最佳。
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