近年来,随着信息存储产业的蓬勃发展,具有功耗低、读写速度快、集成密度高等特点的非易失性存储器被广泛地研究。其中,具有“三明治”简单结构的阻变存储器被认为最有可能成为下一代的主流存储器。继而,物联网及可穿戴信息器件的飞速发展对阻变存储器提出了柔性性能的要求。柔性阻变存储器的存储性能主要由阻变层的材料及其性能决定。迄今为止,氧化石墨烯和过渡族硫化物等材料因其二维特性成为制备柔性阻变存储器理想的阻变材料。研究结果也显示以钙钛矿结构氧化物为阻变层的传统阻变存储器表现出优良的阻变性质。众所周知,离子键结合的钙钛矿结构氧化物很难体现类似石墨烯的二维行为。能否及如何实现以钙钛矿结构氧化物为阻变层的柔性阻变存储器,并获得优良的阻变性能是我们关注和本论文拟解决的关键问题。基于以上思路,本论文以钙钛矿结构氧化物为阻变层制备柔性阻变存储器。探索了多种制备方法,结合多种表征手段,得到了如下的结果:1、通过两步水热法合成了PbTiO--₃纳米片,并用磁控溅射、真空抽滤、蒸发镀膜的方法制备了Al/PbTiO₃/Al/PET器件。此器件的I-V曲线显示写一次读多次特性,开启电压为2.4 V,存储窗口为10²,耐久性良好。经过多次弯折后测试结果显示,器件的阻变特性没有明显变化。2、通过水热法合成了SrTiO₃纳米片,并用旋涂法制备了Ag/PVP-SrTiO₃/Pt/PET器件及通过真空抽滤法制备了不同厚度的Ag/SrTiO₃/Pt/PET器件。阻变测试结果均显示写一次读多次特性。获得了不同厚度Ag/SrTiO₃/Pt/PET器件的开关电压与膜厚的关系。其最优开关电压为2.38 V,存储窗口为10,显示良好的二维延展性,但耐久性稍差。而Ag/PVP-SrTiO₃/Pt/PET器件的开关电压为0.17 V,存储窗口为103,二维延展性和耐久性良好,性能得到了显著提高。3、在以上两个工作的基础上,考虑到BiFeO₃的磁性特点,我们合成了BiFeO₃纳米片,并制备了Ag/BiFeO₃/Pt/PET及Ag/PVP-BiFeO₃/Pt/PET器件。前者显示双稳态阻变特性,开启电压为2.55 V,关闭电压为-3.55 V,存储窗口为10³。后者体现了写一次读多次的特性,开启电压为1 V,存储窗口为10⁵。二者均具有良好的二维延展性和耐久性。