论文部分内容阅读
二氧化锡(SnO2)是载流子电子半导体材料,禁带宽度较大(Eg=3.6 eV),其通常为四方金红石型结构,每个晶胞中含有两个锡原子和四个氧原子,但在实际合成过程中由于氧不足产生氧空位从而出现晶格缺陷,呈现出n型半导体性质。正是由于这种缺陷的存在可以使SnO2基材料成为气敏材料,导电材料和透明电极材料等,在气敏传感器,湿敏传感器,太阳能燃料电池和锂离子电池等方面有重要的应用。然而在实际应用过程中,SnO2基材料仍然存在一些诸如循环稳定性差、循环体积膨胀等问题,由于这些问题的存在,导致了SnO2基材料的