功率半导体器件是电力电子技术的核心之一，在智能功率集成电路SPIC（Smart Power Integrated Circuit）等方面有着广泛的应用。其中，LDMOS（LateralDouble-diffused Metal-oxide Semiconductor）是应用广泛的功率半导体器件之一，如何平衡耐压和比导通电阻之间的矛盾关系一直是LDMOS研究的重点和难点。本文从LDMOS的基本理论出发，通过引入优化横向变掺杂技术和超结（SuperJunction, SJ）结构，对LDMOS的耐压和比导通电阻等性能进行了研究。首先，本文介绍了优化横向变掺杂技术（Optimum Variation Lateral Doping,OPTVLD）的基本理论。优化横向变掺杂理论由电子科技大学陈星弼教授于1992年提出，通过在表面薄层内引入一个特定的随表面距离做横向变化的掺杂分布，使得表面横向耐压层能在最短的距离内实现最大的耐压。文中介绍了优化横向变掺杂技术及其一般应用，并且通过仿真实例说明了该技术对LDMOS表面电场的优化作用。接着，本文针对优化横向变掺杂技术，研究了现有的在一个方向上有着SJ补偿的OPTVLD-LDMOS，讨论了几个重要参数（漂移区表面P-top层浓度、漂移区浓度、P-bury层掺杂剂量及漏端与P-bury的水平距离）对其耐压的影响，为提升器件性能提供参考。最后，提出并研究了同时在两个方向上对OPTVLD-LDMOS进行SJ补偿的优化设计。通过在相同衬底上仿真对比上述两种结构，证明额外增加一个方向的SJ补偿，SJ-OPTVLD-LDMOS依然能够维持不变的击穿电压而其比导通电阻被大大降低。此外，文中根据陈星弼教授的相关专利，在BiCMOS工艺基础上进行修改，得到了制造同时在两个方向上对OPTVLD-LDMOS进行SJ补偿的器件的具体工艺流程。