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近年来,一维半导体异质结纳米材料成为当今纳米材料科学的研究热点。一维半导体异质结除了具备同质纳米线的特性又具有同质纳米线不具备的新性能,如Ⅱ-Ⅵ/Ⅳ族异质结集Ⅱ-Ⅵ族优良光电性能和Ⅳ族成熟工艺于一体,因此,在“裁剪”同质半导体纳米线的物性中可起到重要作用,在诸多领域具有潜在应用。本论文研究基于ZnSe的半导体异质结纳米材料的制备及表征。主要内容包括:1、以ZnSe和Ge粉末为原材料,通过简单的CVD方法成功合成了Ge纳米颗粒修饰ZnSe/GeSe等级异质结纳米线。XRD结果表明所制得纳米线由ZnSe、Ge和GeSe组成;SEM照片显示绝大部分纳米线是两侧有枝状结构的纳米线,少部分纳米线是没有外延生出GeSe侧翼的ZnSe/GeSe并轴纳米线。根据HRTEM和SAED的检测结果,在中心骨架ZnSe/GeSe异质结内部形成了相对高质量的界面,且Ge的纳米颗粒较为均匀地分布于GeSe次级纳米枝上,每个颗粒的直径在50nm以内。该异质结纳米线的形成过程遵循基于VLS机理的共生机制。室温下该纳米线拉曼谱显示出了ZnSe、Ge和GeSe的特征拉曼峰,并且具有一定程度的移动和宽化。2、采用ZnSe粉末和Ge粉术为原材料,并通过控制ZnSe和Ge的质量比分别制备了Ge/GeSe并轴异质结纳米线（样品1）及ZnSe/Ge核-壳异质结纳米线（样品2）。对于样品1,通过分析XRD衍射花样可知,所制得纳米线由立方相Ge和正交相GeSe组成;从SEM图可以看出,大面积尺寸均匀的纳米线生长在包金硅衬底上。根据HRTEM和SAED的检测结果,所制得的Ge/GeSe并轴异质结纳米线直径在100nm以内,其中Ge和GeSe次级纳米线直径分别在20-50nm及30-70nm之间。通过分析实验结果,该异质结纳米线的生长过程遵循VLS生长机制。ZnSe在整个生长过程中起到了提供Se源的辅助作用。室温下该纳米线拉曼谱显示出了Ge和GeSe的特征拉曼峰,并且因纳米尺寸效应产生了轻微的红移。对于样品2,所制得纳米线由立方相的ZnSe和立方相的Ge组成;从SEM照片可以看出,大量尺寸均匀的纳米线沉积在衬底上,部分纳米线为非包芯结构,经微结构分析ZnSe/Ge纳米线为核-壳结构。该纳米线的生长机理也遵循VLS机制。3、利用CVD法蒸发CdS粉术成功合成了CdS/SiO2核-壳结构纳米线。XRD衍射花样表明,产物为六方CdS,XRD峰强且窄,表明结晶度非常好。从SEM照片知,产物为梳状纳米线,最长可达到几十微米,直径小于500nm,梳齿直径从几十纳米到几百纳米不等,且纳米线表面较为平滑。TEM和HRTEM结果表明,该纳米线是核-壳结构,即CdS核/SiO2壳,CdS沿着{1011}方向生长。该纳米线仍然遵循VLS生长机制生长。室温拉曼光谱呈现出CdS的1LO和2LO光学声子模式以及CdS的声子散射峰。