本论文包括两部分:第一部分文献综述化学修饰电极是当前电化学和电分析化学方面一个十分活跃的研究领域。其可通过对电极表面的分子裁剪,赋予电极预定的功能,从而实现各种在常规电极上难于发生的氧化还原反应。近年来,新型材料的兴起为化学修饰电极的发展提供了新的动力,纳米材料和离子液体由于具有特有的物理和化学性能成为理想的电极修饰材料,如何将纳米材料和离子液体特有的性能结合入修饰电极中已成为当前研究的热点。本文主要对化学修饰电极的制备方法,以及纳米材料和离子液体在修饰电极中的应用作了评述。第二部分研究报告本论文以纳米四氧化三钴（nano-Co₃O₄）和1,2-二乙基苯并咪唑四氟硼酸离子液体（[HeeBim][BF₄]IL）为修饰剂,分别制备了纳米四氧化三钴修饰碳糊电极（nano-Co₃O₄/CPE）和苯并咪唑离子液体嵌入浸蜡石墨电极（IL-WGE）。分别研究了黄嘌呤（XA）在nano-Co₃O₄/CPE和IL-WGE上,多贝斯（CD）在IL-WGE上的伏安行为。此外,本文以零流电位法研究了金表面上半胱氨酸的自组装过程,提出了一种现场表征自组装的新方法。研究内容分述如下:1.在0.1mol/L HAc-NaAc（pH 5.6）缓冲溶液中,XA在活化后的nano-Co₃O₄/CPE上于+0.805V出现一个较灵敏的氧化峰,峰电位较CPE上的负移80mV,峰电流为CPE上的5倍。这表明,经电化学活化后的nano-Co₃O₄/CPE对XA的电氧化有较强的催化作用。此催化作用主要是来自于活化过程中nano-Co₃O₄转化而成的纳米Co（OH）₂。Co（OH）₂纳米颗粒具有比表面积大、吸附能力和配位能力强的特性使得XA的伏安响应增强。2.以Fe（CN）₆^3-和Cu（NH₃）₄²⁺为探针对IL-WGE进行了表征,并考察了XA在IL-WGE上的伏安行为,测定了XA在IL-WGE上的电子转移系数和电极反应速率常数。结果表明,IL-WGE表现出静电吸引阴离子的特征。XA在IL-WGE上的峰电流比WGE上的增加近3倍,峰电位降低约30mV。XA在IL-WGE上的阳极反应电子转移系数为0.231,电极反应速率常数为1.35×10^-1cm/s,比WGE上提高约3倍。基于此,提出了一种伏安测定XA的单扫描伏安法。3.利用IL-WGE对阴离子的静电吸引特性,研究了CD在IL-WGE上的伏安行为,测定了CD在IL-WGE上的反应电子转移系数和电极反应速率常数。结果发现,CD在IL-WGE上的氧化峰峰电流增加约2倍,峰电位降低约170mV。CD在IL-WGE上的阳极反应电子传递系数为0.220,氧化电极反应速率常数为5.83×10^-2cm·s^-1,比WGE上的增加约两倍。基于IL-WGE对CD氧化的催化作用,建立了一种测定多贝斯的电化学分析方法。在最优条件下,XA的二阶导数氧化峰电流与其浓度在2.0x10^-7～2.0x10^-5mol·L^-1范围内呈线性关系,检出限为8×10^-8mol·L^-1。4.以零流电位法研究了L-半胱氨酸在金电极上的自组装过程。随着组装的进行,零流电位E_pzc逐渐从一个恒定值移动至另一恒定值,以E_pzc的移动量来跟踪L-半胱氨酸在金表面上的组装过程,并进一步计算得组装的速率常数约为3.69x10³M^-1s^-1。结果表明,多次测量、扫描电位范围以及扫速的大小均不影响组装层和自组装过程。本方法可以实现组装过程的现场表征,比用常规伏安法解析更灵敏,比其他方法简单方便。