【摘 要】
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该文主要是介绍工作在657nm附近的窄线宽外腔半导体激光器的制作.利用Littman-Metcalf外腔结构的光栅反馈,使自由运转时波长为660nm左右的半导体激光器工作在657nm附近,并在1
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该文主要是介绍工作在657nm附近的窄线宽外腔半导体激光器的制作.利用Littman-Metcalf外腔结构的光栅反馈,使自由运转时波长为660nm左右的半导体激光器工作在657nm附近,并在10GHz左右的范围内连续可调,光谱线宽在100KHz左右,为得到钙原子复合跃迁4<1>S<,0>-4<3>P<,1>(λ=657nm)谱线作准备.为了测量激光器光谱线宽,实验中建立了两套相同的外腔半导体激光器,利用拍频测量光谱半宽,并探讨了腔长与驰豫振荡的关系.另外,该文还给出了激光器的精密电流、温度控制电路和压电陶瓷驱动电路的详细制作过程.
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