【摘 要】
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近年来,随着半导体工艺的飞速发展,基于GaAsPHEMT工艺的单片微波集成电路(MMIC)已经成为微波领域的研究热点。在卫星通讯、雷达系统、测试系统和导航系统中,低噪声放大器是不
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近年来,随着半导体工艺的飞速发展,基于GaAsPHEMT工艺的单片微波集成电路(MMIC)已经成为微波领域的研究热点。在卫星通讯、雷达系统、测试系统和导航系统中,低噪声放大器是不可或缺的部分,低噪声放大器的噪声性能、增益和线性度等指标直接影响了接收机的性能;基于GaAsPHEMT结构的逻辑串并转换电路集成在T/R组件中,可以减小整个T/R组件的尺寸,并且提高其易用性和经济性。本文基于GaAs PHEMT工艺设计并实现了两种低噪声放大器和用于T/R组件的串并转换逻辑电路,论文主要工作如下:第一、第二章介绍了低噪声放大器与T/R逻辑控制电路的研究背景与发展现状,以及噪声及低噪声放大器的基本理论。第三章介绍了一款S波段低噪声放大器的设计流程,完成了整体电路的原理图和版图的优化仿真。最后对芯片进行了流片测试,放大器实测增益>31dB,噪声系数<0.7dB,电流30mA。第四章介绍了一款18-40GHz宽带低噪声放大器的设计过程,完成了整体电路的原理图和版图的优化仿真。最后对芯片进行了流片测试,实测放大器增益>11dB,噪声系数<3.5dB,电流46mA。第五章介绍了 13位串并转换逻辑电路。详述了基本逻辑单元、整体方案及其关键部分的设计,最后测试了一个6位的串并转换电路和集成在T/R中的13位串并转换电路,并测得在25MHz信号频率下该电路仍能正常工作。
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