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铌酸钾钠(KNN)系被认为是最有潜力替代铅基陶瓷的无铅压电材料之一，其中(1-x)(0.95K0.5Na0.5NbO3-0.05LiSbO3)-xBiFeO3(简写为(1-x)(KNN-LS)-xBF)陶瓷表现较为突出。同时，已有研究表明CuO和V2O5能够有效降低陶瓷材料的烧结温度。本文用传统工艺制备了CuO和V2O5掺杂(1-x)(KNN-LS)-xBF新型三元体系无铅压电陶瓷，研究其物相、组织结构和综合性能，获得了最佳成分配比和工艺条件。主要内容如下： 在(1-x)(KNN-LS)-xBF+ymol％CuO陶瓷中，CuO在促进了陶瓷晶粒生长，同时也使陶瓷的压电常数d33略有下降，适量的CuO掺杂降低了样品的介电损耗tgδ，提高机械品质因数Qm。其原因为Cu2+进行B位取代Nb5+时产生的氧空位会对电畴转向产生“钉扎效应”，使得极化时，电畴翻转数目在其他条件相同的情况下减少，导致d33和kp的降低；并且增加畴壁运动的难度，使畴壁内部运动减少，从而能够减小内部损耗。同时，由于CuO熔点为1025℃，在1060℃时陶瓷体内产生液相，促进晶粒重排、接触和晶界迁移，使气体充分排出，使晶粒排列更加致密，故Qm得到了提高。在1060℃下，(1-x)(KNN-LS)-xBF+ymol%CuO陶瓷在x=0.004，y=0.3附近获得最佳性能，其性能参数为：d33=216pC/N，kp=0.27，εr=1028.45，tgδ=2.143%，Qm=92.34。 在0.996(KNN-LS)-0.004BF+ymol%V2O5陶瓷中，V2O5的掺杂降低了陶瓷样品的烧结温度，同时，V2 O5含量的增加也导致了晶粒的细化。V2 O5的掺杂虽然使得陶瓷样品的压电常数d33有所降低，但是介电损耗tgδ却在y=0.3时得到了明显改善并达到最低值tgδ=0.71%，机械品质因数Qm则在y=0.45时得到明显提高。当y=0.3时，0.996(KNN-LS)-0.004BF+ymol%V2O5陶瓷在1060℃下获得最佳综合性能，其性能参数为：d33=183pC/N，kp=0.25，εr=638.83，tgδ=0.7%，Qm=53.87。 烧结温度和保温时间不会改变0.996(KNN-LS)-0.004BF+ymol%(CuO、V2O5)陶瓷的物相结构。烧结温度的升高有利于陶瓷晶体物相结构的稳定，但是过高的烧结温度会使陶瓷晶粒向畸形化生长。掺CuO的陶瓷样品在1060℃，保温时间为4h时获得最佳综合性能。 0.996(KNN-LS)-0.004BF+ymol%V2O5陶瓷样品在不同的掺杂量下，最佳烧结温度和保温时间也不同：⑴y=0.3时，1060℃下最佳保温时间为4h，性能参数为：d33=183pC/N，kp=0.25，εr=638.83，tgδ=0.7%，Qm=53.87；⑵y=0.6时，1060℃下最佳保温时间为6h，性能参数为：d33=176pC/N，kp=0.2，εr=479.04，tgδ=8.4%，Qm=54.13；⑶y=0.6，4h保温时间下最佳烧结温度为1080℃，性能参数为：d33=159pC/N，kp=0.23，εr=577.02，tgδ=5%，Qm=58.95。