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本论文通过X射线衍射、中子衍射、磁性和输运性质测量等方法系统的研究了RMn6Sn6及其衍生化合物的晶体结构、内禀磁性、磁结构及磁输运性质。 首先,本文研究了化合物RMn6Sn6-xGax（R=Er,Gd;x=0-2.0）的结构和磁性。结果表明,Ga对Sn的替代并不改变ErMn6Sn6化合物六方的HfFe6Ge6型结构;而对于GdMn6Sn6-xGax体系,晶体结构随着Ga含量的增加发生如下转变:x=0-0.6为六方的HfFe6Ge6型结构;当x=0.9和1.2时,结构转变为正交的HoFe6Sn6型;当Ga含量增至1.5时,结构转变为正交的TbFe6Sn6型;晶胞随着Ga替代量的增加呈各向同性收缩。 HfFe6Ge6结构的化合物ErMn6Sn6-xGax具有强的低温硬磁行为（如化合物x=2.0的矫顽力Hc≥22kOe）。这是由于Ga对Sn的取代改变了Er的配位环境,使得Er次晶格的二级晶场系数A20符号发生改变,得到负的二级晶场参数B20,从而诱导出磁晶单轴各向异性。此外,六级Stevens因子γJ和Er次晶格的四级晶场系数A40对这种化合物的易磁化方向也起了很重要的作用。 Mn原子磁矩在六方结构和正交结构中都表现出易面的磁行为。Mn次晶格的磁晶各向异性随着温度的升高、晶体结构对称性和Mn原子配位环境的改变而削弱。低温下,Mn次晶格的磁晶各向异常数在-10K量级,相对于稀土次晶格的磁晶各向异性可以忽略不计。 对RMn6Sn6=（R=Y,Gd,Tb）和ErMn6Sn6-xGax等化合物进行吸H、吸N、掺C、掺B处理,结果表明此类化合物在常规条件下并不能形成间隙化合物。 其次,本文研究了HfFe6Ge6型的化合物（Y,Ho）Mn6Sn6和ErMn6Sn6的磁结构、变磁转变和磁电阻效应。结果表明,化合物随着成分、温度的变化而表现出丰富的磁行为。YMSn6Sn6随着Ho的加入,发生了螺旋反铁磁—螺旋亚铁磁—（锥形）亚铁磁的转变;随着温度的升高,例如化合物Y0.5Ho0.5Mn6Sn6表现出螺旋亚铁磁—螺旋反铁磁—亚铁磁—顺磁的复杂磁行为,变温中子衍射研究表明这些磁相变是非公度—非公度磁结构的转变;化合物ErMn6Sn6随温度的升高也表现出亚铁磁-螺旋反铁磁-顺磁丰富的磁行为。螺旋磁结构的存在与Mn-Mn最近邻（n1）和