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利用X射线衍射分析(XRD)、交流初始磁化率分析、差热分析(DTA)、脉冲磁强计等手段,系统研究了W、Co添加Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe粉复合磁体的结构和磁性.使用正电子湮灭技术,研究了Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe粉复合磁体的界面缺陷状态和矫顽力的关系.对于磁控溅射制备的Sm-Co/Co or Fe<,65>Co<,35>复合薄膜,使用高分辨透射电镜(HRTEM)、俄歇电子谱、振动样品磁强计(VSM)、物理性能测试仪(PPMS)、梯度场磁强计(AGM)等,系统研究了不同磁性层厚度薄膜的微结构和磁性.用剩磁分析方法研究多层膜纳米复合磁体中磁性交互作用,通过磁滞测量、矫顽力与温度的关系分析了薄膜磁体的矫顽力机制.另外,还研究了磁场热处理对薄膜磁体磁性的影响.发现在Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe粉纳米复合磁体系统中,一方面,添加W可以提高磁体中硬磁相的磁晶各向异性场,有利于磁体矫顽力提高.另一方面,添加W能够稳定分布于晶间的富硼相Nd<,1.1>Fe<,4>B<,4>,该富硼相削弱磁性晶粒间的交换耦合,导致磁体矫顽力降低和矩形度变差.添加Co主要进入硬磁相,提高磁体硬磁相居里温度,增强交换耦合,因此使磁体剩磁和最大磁能积增大.利用线性近似方法计算纳米复合磁体的有效磁晶各向异性常数和有效交换劲度,并根据交换耦合理论计算了磁体矫顽力最大时软磁相最佳晶粒尺寸,发现当磁体中软磁相体积分数近似为30％时,理论计算值和实验测量值符合得很好.这表明,具有这一组成的纳米复合磁体的矫顽力控制机制是磁性晶粒间的交换耦合.正电子湮灭技术探测结果表明磁体的界面主要包含两种类型的缺陷:单空位型自由体积、空位聚集体自由体积.空位聚集体自由体积明显导致磁性晶粒间的交换耦合减弱,降低磁体矫顽力.在Sm-Co/Co or Fe<,65>Co<,35>纳米复合薄膜体系,HRTEM观察发现,溅射可以得到很理想的多层膜结构,但退火后薄膜呈现颗粒膜形式.XRD、HRTEM、俄歇电子谱分析都清楚表明,薄膜主相是Sm<,2>Co<,17>,同时含有少量SmCo<,5>、和软磁相Co或Fe-Co.降低硬磁层或增加软磁层厚度都降低薄膜磁体的矫顽力.在这种情况下,磁场退火可以促进Sm<,2>Co<,17>相形核长大,从而提高复合磁体矫顽力.采用磁滞测量、矫顽力和温度的关系等分析得出,薄膜的矫顽力机制以畴壁钉扎为主.使用Gaunt模型计算得出了一个合理的薄膜畴壁钉扎核心宽度2△x=2.4 nm.使用剩磁分析方法,分析了薄膜磁体中的磁性交互作用.