石墨烯特殊的性质使得它在物理、材料科学和其他很多领域引起了越来越多的广泛的兴趣。预期这种材料可能在各个领域发现它的应用价值。大规模生长高质量的石墨烯材料是它实现工业化应用的重要步骤。因为在过渡金属表面能合成出高单晶质量的大尺寸石墨烯，因此在过渡金属表面，利用化学气相沉积方法生长的石墨烯看起来很有大规模应用的可能性前景。但是为了探测这种方法生长的石墨烯的电学性质，石墨烯需要转移到其他衬底上。虽然现在已经发展出了把金属腐蚀掉并把石墨烯转移到其他衬底上的方法，但是众所周知转移过程中引入的污染和石墨烯的折叠会很大程度上降低石墨烯的质量。当前，很多研究小组正在把他们的兴趣放在直接在绝缘衬底上生长石墨烯的方向上来。　　本论文中，我们提出了一种全新的在绝缘衬底上制备石墨烯的方法:利用铜箔的近程催化作用，采用两步式（低压生长和高压生长）的化学气相沉积法，在单晶蓝宝石上制备大尺寸石墨烯。我们让铜箔和绝缘衬底紧密接触，以此来利用金属表面催化作用的优势，同时利用单晶蓝宝石衬底原子级平整的表面来进行石墨烯的生长。利用所述的近程催化方法，我们发现了石墨烯岛的成核和岛的长大现象。它的尺寸趋近于1μm。衬底上石墨烯的全覆盖也得到了实现。