疏波分复用(Coarse Wavelength Division Multiplexing，CWDM)技术适用于城域网和接入网，信道间隔宽(ITU-T标准为20nm)，要求网络成本低性能稳定。适用于CWDM系统的波长可选分布反馈(Distributed Feedback，DFB)激光器阵列单片集成器件可以满足CWDM系统要求光子器件制作成本低，性能稳定的要求，作为光源广泛用于城域网、接入网中。本论文围绕低成本的波长可选DFB激光器的研制开展了以下几个方面的工作：　　 1.设计厚度不同的非对称多量子阱材料作为激光器的有源区用以拓宽半导体材料的增益谱。计算模拟了设计的材料结构的增益谱，采用MOCVD技术实际生长厚度不同的非对称多量子阱材料，达到了拓宽材料增益谱的要求。　　 2.改进传统的全息曝光方法制作均匀布拉格光栅技术，采用聚酰亚铵或氧化硅保护在芯片部分区域已制作好的某一周期的光栅，在芯片其他区域制作另一周期的光栅，实现采用简单稳定成本低的全息曝光技术在同一芯片不同区域制作不同周期布拉格光栅。　　 3.通过在器件结构中引入n-反型层，制备了含有弱增益耦合与纯折射率耦合相结合的布拉格光栅，并依此光栅为基础制备了双波长DFB激光器阵列，两个不同周期的布拉格光栅串连集成在一起。　　 4.实验研究RIE干法刻蚀InP体系的工艺条件，确定氧化硅为刻蚀掩膜，得到了适用的刻蚀气体和其他工艺参数。　　 5.模拟Y型波导不同结构参数的损耗，采用量子阱混杂(Quanturn Well Intermixing，QWI)，RIE干法刻蚀技术制作并列DFB激光器和Y型波导耦合器单片集成器件。　　 6.实验研究三种不同工艺方案，制作2×2四波长可选DFB激光器阵列、Y型波导耦合器和光放大器的单片集成器件。