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量子点这一新兴的零维纳米材料,具有许多独特优异的性质,引起全世界的广泛关注和研究。基于胶质量子点开发出的量子点发光二级管(Light Emitting Diode,LED),与传统的LED相比,具有发射光谱窄、光色可调、功耗低等优势,成为新一代的照明元件的研究热点。然而器件的稳定性差、低的注入效率以及其中存在的非辐射复合是目前制约量子点LED实用化的三大最关键性问题。本论文围绕以上关键问题开展了对量子点LED关键材料及器件的系统研究,主要内容如下:1.对量子点LED器件的制备工艺进行了系统地研究及优化。在制备过程中采用全溶液法沉积量子点器件的各功能层,针对溶液浸润性、薄膜平整度以及功能层间的互扩散等问题,采用一系列的前处理方法来优化功能层的质量,同时结合相关表征手段有效地控制功能层的膜厚。并针对阴极脱落、功能层失效等可导致器件稳定性差的各种原因进行了系统性地分析。2.研究了空穴传输层对量子点器件性能的影响。首先对具有不同空穴传输层厚度的器件进行光电性能的测试后,实验结果表明:随着空穴传输层的厚度下降,器件的最大亮度会增加,而启亮电压以及最大亮度的驱动电压会下降,特别当空穴传输层聚乙烯咔唑(PVK)的厚度为35nm时,获得接近100cd/m2的最大亮度;另外通过对空穴传输层材料四苯基联苯胺(TPD)以及其掺杂的研究,发现当掺杂30wt%TPD后,器件空穴载流子的注入效率显著提高,获得了较低的启亮电压(3.8V)与较高的电流密度(0.051 A/m2),使其更加符合实际应用的需求。3.尝试利用GaN宽禁带材料修饰量子点来抑制非辐射复合的发生。采用金属有机沉积(MOD)法在300℃的低温条件下成功制备出光学禁带宽度为3.45eV的非晶GaN薄膜。在验证了GaN不会促使量子点发生荧光淬灭现象后,通过在GaN薄膜制备过程中掺入量子点的方式来完成对量子点的修饰。最后,将制备出的GaN/量子点层采用薄膜转移的方式插入到载流子传输层之间制备出完整的量子点LED,并结合光电性能测试结果及其荧光光谱分析了器件没能正常发光的原因。