Ni基磁性薄膜由于其磁各向异性、耐腐蚀性能被广泛用于磁头、磁存储等器件中。在应用的过程中为了增加设备的存储密度密度，不影响其性能的同时增加存储密度可以增大比表面积，故研究方向转向纳米线。本文的重点是Ni基材料中的NiCo和NiFe两种合金材料，在制备薄膜的基础上制备纳米线，并通过控制沉积电势、沉积过程中的电流密度和温度、pH值研究薄膜及纳米线的结构、组成、形貌和磁性能。本文研究成果主要包括以下三个方面：（一） NiCo磁性薄膜的制备采用电化学方法分别在黄铜基底、纯铜基底上生长NiCo磁性薄膜。在黄铜基底上制备NiCo薄膜，研究电流密度和沉积温度对薄膜成分、形貌及磁性能的影响。研究发现：随着电流密度的增加，薄膜比饱和磁化强度先增大后逐渐减小，电流密度为200A/m2时，薄膜的比饱和磁化强度最大。电流密度的改变不会影响薄膜的晶体结构及择优生长取向，但晶体的结晶度和比饱和磁化强度有明显的变化。电流密度150A/m2下制备的薄膜致密，在55℃下样品的矫顽力最小。不断增加温度，晶体结构不发生变化，但结晶度和晶粒尺寸发生改变。在纯铜基底上电沉积NiCo薄膜，主要研究了电流密度、沉积时间、温度及pH值对薄膜的影响。随着电流密度的增加，薄膜表面的致密度逐渐增大，在电流密度为200A/m2时，薄膜表面的致密度最好，随着电流密度的增加， NiCo合金的衍射峰加强，主要因为增加电流密度使得溶液中的离子传输能量增加，促进合金离子的结合。NiCo薄膜的磁性能在200A/m2的条件下，矫顽力最小为14.31Oe。在沉积时间为5min时，出现了Co(100)、(200)和(311)峰。但随着时间的增加Co(100)和（200）消失。NiCo薄膜的矫顽力降低，饱和磁化强度升高。增加温度仅仅改变了NiCo磁性薄膜的形貌和磁性能，并未改变其结构。综合饱和磁化强度和矫顽力的大小得到在50℃的条件下，NiCo磁性薄膜的磁性能参数最佳。当镀液pH值为1.5的时候，薄膜表面颗粒度很大，呈瘤状结构，随着pH值逐渐增加，薄膜的颗粒度发生变化。当pH值增大到6时，薄膜的表面最平滑，颗粒度最小。pH值的变化不影响，衍射峰的强度有所变化。在pH值为4的时候，薄膜的矫顽力为20.23Oe。（二）纯铜基底上NiFe磁性薄膜的制备改变沉积温度、电流密度和Ni·Fe摩尔比，研究了NiFe薄膜的形貌、结构和磁性能。结果表明改变沉积条件NiFe薄膜的饱和磁化强度和晶粒尺寸得到了改善。在只改变温度不改变其他条件的情况下，60℃条件下，NiFe薄膜的结晶度很高，此时薄膜拥有最低的矫顽力(0.18KA/m)和最高的饱和磁化强度，而且薄膜的腐蚀电位最高，腐蚀性能最好。改变电流密度可知，在电流密度为167A/m2时，薄膜的耐腐蚀性高，软磁性能好。当改变摩尔比时，薄膜的腐蚀电位逐渐增加，是因为随着Ni浓度的增加，薄膜中Fe的含量降低，耐蚀性能逐渐趋近于单金属Ni的耐蚀性。（三） Ni基纳米线的制备与磁性能的研究采用电化学沉积方法制备NiCo和NiFe纳米线。系统研究了沉积电势、沉积时间及金属摩尔比等对其形貌和性能等的影响。结果表明：在沉积电势为-1.6V，NiCo纳米线有较好的软磁性能。改变沉积时间，纳米线的长度增加，晶体结构发生改变，当沉积时间为5h时，多晶结构的Ni金属和单晶的Co金属组成的固溶体形式的纳米线形成，Ni(111)衍射峰的峰强度最大。在改变Ni、Co摩尔比后，纳米线中Ni和Co的含量不同，纳米线的磁性能也发生变化。在pH值为3.5的时候，纳米线的软磁性能最优。随着pH值增加，纳米线具有磁各向异性。系统研究了沉积电位和镀液pH对NiFe纳米线的影响。改变沉积电势可以发现，沉积电势为-0.6V时，制备得到的是纳米管，而在其他电位条件下是纳米线。沉积电势为-1.2V时，NiFe纳米线具有最小的矫顽力。随着pH值升高，样品的饱和磁化强度降低，矫顽力先降低后升高。在pH值为4时，NiFe纳米线的矫顽力最小，软磁性能最优。利用不同孔径的模板制备得到的纳米线直径不同,NiFe纳米线薄膜存在磁各向异性。