目前，由于纳米技术的快速发展，人们可以制造出平均自由程比体系尺度大的介观结构，如量子点、量子环等。在这些体系中，量子力学规律起支配作用而出现了许多有趣的量子现象。介观体系成了物理学家的研究热点，同时量子器件的设计和研制也引起了研究者们的注意。在本文里，对双介观环的输运性质做了较系统和深入的研究，并根据双Aharonov-Bohm(AB)介观环的特征散射性质，提出了一种电导与磁通无关且可调的T型器件模型。目的在于揭示双介观环体系的一些物理性质以及能为设计和实现具有优良性能的量子器件提供理论依据。 本论文首先介绍了介观环的研究背景、介观物理中几个常见的特征长度以及几个典型效应，包括A-B效应、A-C效应、普适电导涨落特性、弱局域化效应、库仑阻塞和量子霍耳效应等。 接着，介绍了研究介观体系的一些理论方法，包括Landaluer-Büttiker理论、散射波函数法、散射矩阵、格林函数和量子波导理论。其中在散射波函数法这节中，运用了该方法，给出了二端Rashba模型的非平衡自旋累积效应的计算结果，这些结果和其它理论和实验结果是大致符合的。 然后，对双AB环不含磁性杂质的输运性质做了简单的介绍。利用量子波导理论，分别对双AB环含一个磁性杂质和两个磁性杂质的情况，做了计算，求出了透射系数。计算表明不同的kl(k是波矢，l是单环的周长)值，磁性杂质对双AB环输运性质的影响不同。尤其是当kl=2nπ，(n=0，1…)时，磁性杂质的存在对透射几率几乎没有影响。本研究发展了已有的双AB环散射性质的解释，对量子器件的设计有潜在的意义。 第四部分，通过量子波导理论计算了多端双AC环的性质，包括透射系数和自旋极化效应。计算结果表明无极化电子通过该体系后，可导致体系的两个出射端出现自旋极化，可通过控制门电压和改变ka(k是波矢，a是环的半径)值来控制自旋分布。此研究有助于自旋器件的设计。 第五部分，根据双AB环的特征散射性质，提出了一种与磁通无关且电导可调的T型器件模型。利用量子波导理论研究了其透射性质。发现在设定体系左端的双AB环kl<,3>=(2n+1)π，(n=0，1…)，右端的双AB环kl<,4>=2nπ，(n=1，2，…)时，通过改变kl<,2>的值来调节一出射端的透射几率的大小，透射系数随磁通的变化关系始终保持着平坦的性质，也就是说输出在一些范围内是比较稳定的。而另一出射端除在φ/φ<,0>=±n，(n=0，1，…)外是与磁通无关的全反射。值得一提的足，整个体系对体系结构轻微的偏离有较强的抵抗能力，从而保持了体系的输出特性。所以此研究可以为设计一种输出稳定的量子器件提供理论依据和物理模型。 最后，对所做的研究进行了总结和展望。