【摘 要】
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该论文研究了采用直流磁控溅射法在石英(非晶态)基底上溅射制备TiO氧敏薄膜,分析了溅射过程中反应气体O流量的变化对TiO沉积速率的影响,以及溅射过程中不同电流条件下靶电压与氧分压的关系,分析了氧分压、基底温度和退火温度对成膜结构的影响,并在陶瓷(AlO)基底上溅射制备了TiO氧敏器件.研究中设计了TiO氧敏器件测试电路和TiO氧敏器件加热电路,采用模拟气体试验装置对制备的TiO氧敏器件性能进行了初
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该论文研究了采用直流磁控溅射法在石英(非晶态)基底上溅射制备TiO<,2>氧敏薄膜,分析了溅射过程中反应气体O<,2>流量的变化对TiO<,2>沉积速率的影响,以及溅射过程中不同电流条件下靶电压与氧分压的关系,分析了氧分压、基底温度和退火温度对成膜结构的影响,并在陶瓷(Al<,2>O<,3>)基底上溅射制备了TiO<,2>氧敏器件.研究中设计了TiO<,2>氧敏器件测试电路和TiO<,2>氧敏器件加热电路,采用模拟气体试验装置对制备的TiO<,2>氧敏器件性能进行了初步的测试,分析了加热电压的变化对氧敏器件温度的影响,以及TiO<,2>氧敏薄膜电阻值随进入反应实验室中氧气浓度的变化,对实验的结果进行了分析.
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