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铁磁共振以及自旋波共振是铁磁体中磁矩的集体激发模式。软磁薄膜由于具有高共振频率与磁导率等优势,被广泛应用于电子元器件中。近年来,电子元器件逐渐向微型化、高频化、集成化、多频化等方向发展,这对应用其中的软磁薄膜提出了更高的要求。因此,对于软磁薄膜动态磁性,特别是共振频率和磁导率的研究是十分必要的。本论文基于电化学沉积和磁控溅射方法研究了Fe基软磁薄膜的动态磁性。另外,通过图案化设计研究了坡莫合金薄膜的自旋波激发。主要内容如下:1、采用电化学沉积方法研究了C和Ce元素掺杂对FeCo合金薄膜磁性的影响。研究发现改变掺杂浓度可调控样品的晶体结构,并发现掺杂可优化FeCo薄膜的软磁性能,另外电沉积参数对样品的矫顽力、共振频率等具有调控作用。2、利用共溅射方法成功制备了FeNi-MgO颗粒膜,并通过改变MgO溅射功率、倾斜溅射角度以及热处理温度来实现FeNi-MgO动态磁性的调控。结果表明MgO溅射功率能够调控样品的共振频率和阻尼,同时倾斜溅射也是调控样品共振频率的有效方法。并且经由200 oC和500 oC热处理后,磁谱表现为两个共振模式。另外,通过氩离子刻蚀得到不同厚度的FeNi-MgO颗粒膜并对其动态磁性进行了研究。结果表明具有条纹畴结构的样品存在铁磁共振（FMR）和垂直自旋驻波（PSSW）两种共振模式,并且随着薄膜厚度增加,PSSW模式的磁导率虚部最大值?max?基本不变,而FMR模式磁导率虚部最大值?max?逐渐减弱。3、采用ESR方法研究了外加磁场施加角度对FeNi-MgO颗粒膜自旋共振的影响。结果表明在197 nm的FeNi-MgO薄膜的厚度方向可激发七个共振模式,并且共振模式可通过改变外磁场与样品法线的夹角进行调控。通过分析直流磁场平行薄膜平面下共振场与模指数n的关系可得到交换劲度常数D/g?B=15.58T?nm2;分析直流磁场垂直薄膜平面下共振场与模指数n的关系可以求出样品表面变形系数?=0.14。此外,对分别加入FeNi-MgO颗粒膜和坡莫薄膜的微带天线的性能进行了研究。结果表明,加入磁性薄膜可以降低微带天线的谐振频率,换言之,在微带天线谐振频率一定时,磁性薄膜的加入可降低微带天线的尺寸,实现小型化。并且加入FeNi-MgO颗粒膜的微带天线的性能要优于加入坡莫薄膜的微带天线。4、利用图案化调控坡莫软磁薄膜的动态磁性。第一部分,在类反点结构中同时激发了频率分别为0.9、2.2以及3.5 GHz的共振模式,实现了多频率共振。第二部分,利用ESR方法研究了“矩形-矩形”与“矩形-圆盘”复合图案结构中共振模式与面内角度的关系。结果表明在复合结构中存在三种共振模式,其中共振强度与角度无关的共振为坡莫薄膜的铁磁共振,其余为图案引入的自旋波共振,并且可以通过改变外加磁场角度调控自旋波共振的出现与湮灭;第三部分,在材料(Fe20Ni80和Co20Fe60B20)交替变化的条带结构中同时激发了共振频率间隔超过1.5 GHz的两种共振模式。并且可以通过条带宽度调控样品的矫顽力与共振频率。