半导体晶圆制造领域对工件表面的加工要求极高,尤其是针对于新一代的化合物半导体材料如碳化硅（Si C）、砷化镓（Ga As）、氮化镓（Ga N）等,使得实现高表面质量、高平坦度的加工难度不断增加。磁流变抛光方法应用于半导体晶圆加工过程,能获得更高的表面加工质量与加工效率。然而磁流变平面抛光过程中,抛光液中的铁磁颗粒和磨粒由于磁场与工件的交互作用发生团聚形成大尺寸颗粒,磁流变液的流变特性会使得团聚大颗粒同样被裹挟来切划晶圆表面,进而造成非规律性表面划痕损伤。对晶圆表面划痕损伤的形成机制开展研究,能够有效掌握划痕损伤形成成因,对于构建磁流变抛光划痕损伤工艺分析能够起到有效的支撑作用。对于扩宽磁流变平面抛光方法应用范围,实现晶圆磁流变抛光产业化应用具有重要意义。本文在晶圆表面划痕损伤形成机制探索与抑制方法方面,开展了以下的研究工作:（1）针对磁流变抛光过程中晶圆表面的划痕损伤特征提出相应表征方法。研究平面抛光过程中晶圆表面划痕损伤的形成因素,明确团聚颗粒和晶圆之间的作用关系,建立团聚颗粒和晶圆的纳米划擦模型。利用分子动力学方法模拟材料划擦过程,探索磁流变平面抛光过程中晶圆表面划痕损伤形成机理,研究团聚颗粒和抛光工艺对划痕损伤的影响。（2）建立团聚颗粒作用对划痕损伤表征量的影响关系,并与工艺参量相结合,实现对磁流变平面抛光过程中晶圆表面划痕形貌的研究。通过建立晶圆表面的团聚颗粒运动轨迹模型,模拟不同抛光工艺参数对划痕损伤形成的影响,分析划痕损伤特征与工艺参数之间的对应关系。结合抛光过程中材料去除模型,建立团聚颗粒存在状态下晶圆表面受团聚颗粒作用的划痕损伤形貌。（3）采用正交实验设计方法研究不同抛光工艺参数对划痕损伤形成影响程度的显著性,以及对划痕损伤表征量的影响规律。进一步开展磁流变平面抛光实验,研究半导体晶圆材料在不同工艺参数下的晶圆表面质量和表面划痕损伤形状数量,获得能够抑制划痕损伤形成的最优工艺参数。