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Cd(II)离子是五大剧毒重金属之一,毒性很大。它被人体吸收后可导致痛痛病。离子印迹技术在处理和检测重金属污染方面有这广阔的前景,通过离子印迹技术合成的离子印迹聚合物可以在从众多的干扰离子中选择性的吸附目标重金属离子Cd(II),达到去除Cd(II)的目的。本文以硅胶为支撑体,Cd离子为模版,γ-脲基丙基三甲氧基硅烷(UPTS)为硅烷偶联剂和单体,环氧氯丙烷(ECH)为交联剂合成了印迹材料Cd-UPTS/硅胶-ⅡP。以反应温度、Y-脲基丙基三甲氧基硅烷剂量、硅胶量、环氧氯丙烷剂量为合成的影响因素研究了不同合成条件对合成印迹材料接枝率的影响。研究表明在γ-脲基丙基三甲氧基硅烷(UPTS)的量为4.5 g,硅胶量为6 g, ECH为3.5 ml,反应温度为333 K时Cd-UPTS/硅胶-ⅡP的印迹接枝率最高为26%。用红外光谱表征对在最佳条件下合成的Cd-UPTS/硅胶-ⅡP印迹材料和Cd-UPTS/硅胶-NIP非印迹材料进行表征。红外光谱图表明,γ-脲基丙基三甲氧基硅烷被成功的接枝到硅胶表面,氨基参与了镉离子配位反应。对合成的印迹材料和非印迹材料进行热重分析,结果表明合成的印迹材料具有较强的稳定性,在常温下能够保持正常物化性质,能够正常使用,同时进一步证明其接枝率为26%左右。对在不同条件下合成的Cd-UPTS/硅胶-ⅡP印迹材料进行镉离子吸附研究,该材料用于处理100mg/L的镉离子溶液。研究结果表明在CdCl2.2.5H2O量为1.8 g时,UPTS的量为4.5 g,硅胶量为6g,ECH为3.5 ml,反应温度为333 K时合成的印迹材料对镉离子的吸附量最大为13.41mg/g。其结果与印迹材料接枝率的结论一致。