本文采用静态法研究了接触时间,固液比（m/V）,pH值,离子强度,吸附贡浓度,PO₄^3-和FA对U（Ⅵ）和Th（Ⅳ）在SiO₂上吸附的影响。U（Ⅵ）在SiO₂上吸附结果表明:吸附动力学相对较快,振荡1h以达到吸附稳定。在pH值2.8～5.8之间,U（Ⅵ）的吸附百分率从0增加到100%;在pH=4.3时,三个离子强度（0.01,0.1 and 0.5 mol/LNaCl）下测得的吸附等温线结果表明,U（Ⅵ）浓度相对低时,U（Ⅵ）的吸附百分率随离子强度的增大而减小;在pH=4.2和U（Ⅵ）初始浓度为1.03×10^-4mol/L时,U（Ⅵ）在不同固液比下的吸附百分率表明U（Ⅵ）的分配系数随m/V（1～100/L）的增加略有增加;解吸实验结果表明,相对于液相的pH值,吸附/解吸是可逆的,而解吸等温线相对于吸附等温线是滞后的。在双层表面配位模型框架下,通过考虑内圈表面配合物≡SOUO₂⁺和≡XO（UO-2）₃（OH）₅可以定量描述U（Ⅵ）在二氧化硅上的吸附作用。此外PO₄^3-能显著促进U（Ⅵ）在SiO₂上的吸附,而20 mg/L的FA对吸附基本无影响。Th（Ⅳ）在SiO-2上吸附实验结果表明:固液比对吸附的影响很大;两相振荡10h后,Th（Ⅳ）达吸附稳定;pH对二氧化硅吸附Th（Ⅳ）有很大的影响,在pH=2.50-4.0的范围内,Th（Ⅳ）的吸附百分数随pH升高而迅速升高,pH＞4.0以后,吸附百分数接近100%;总浓度不同的Th（Ⅳ）的吸附边界（pH sorption edge）结果表明,Th（Ⅳ）浓度的增大使吸附边界向右位移;Th（Ⅳ）在SiO₂上的吸附基本上是可逆的,其吸附解吸等温线符合Freundlich吸附等温式;Th（Ⅳ）的吸附几乎不受离子强度的影响,相同浓度的NaNO₃作为背景电解质时的吸附量略大于NaCl作为背景电解质时的吸附量;PO₄^3-能显著促进Th（Ⅳ）在SiO₂上的吸附,而20 mg/L的FA对吸附基本无影响。