高介电可调谐铁电薄膜材料在雷达、5G/6G移动通信等民用和军用通信系统中具有潜在的应用前景。本文采用溶胶-凝胶法在Pt（111）/Ti Ox/Si O2/Si（100）（Pt）衬底上制备了Pb(Sc1/2Nb1/2)0.9(Mg1/3Nb2/3)0.1O3（PSNMN）弛豫铁电薄膜,系统研究了退火条件对其介电调谐性能的影响;同时也使用该方法在Pt衬底和La Ni O3/Pt复合衬底上制备了Pb(Sc1/2Ta1/2)O3（PST）弛豫铁电薄膜,研究了La Ni O3缓冲层对其介电调谐性能的影响。此外,还研究了它们的储能性能。研究结果表明:（1）通过退火氛围和退火时间调控,得到未退火、空气中退火5 h、空气中退火10 h、空气中退火15 h、气氛补偿块（ACB）中退火10 h、ACB中退火15 h和ACB中退火20 h的PSNMN薄膜的介电可调性在530 k V/cm和10 k Hz时分别约为～47.0%、～46.5%、～48.5%、～46.8%、～76.4%、～80.0%和～77.3%。对于ACB中退火的PSNMN薄膜获得更高的介电可调性可能主要归因于较弱的氧空位畴钉扎效应。同时,用ACB退火的PSNMN薄膜在超宽温度范围内（大于130 K）也表现出极高的热稳定介电可调性,这可能得益于PSNMN无序基体与长期退火过程中形成的B位纳米级有序结构之间的界面产生的麦克斯韦-瓦格纳（MW）效应。此外,ACB退火的PSNMN薄膜的介电损耗可以降低一个数量级以上,从未退火时的～0.50降低至ACB退火15 h后的～0.037（at 1 k Hz）,这主要归因于较低的氧空位含量和可能的MW效应。另外,ACB退火的PSNMN薄膜的储能密度（从未退火时的～22.3 J/cm~3提高至ACB退火15 h后的～27.2 J/cm~3）、储能效率（从未退火时的～47.0%提高到ACB退火15 h后的～75.1%）和热稳定性也都得到了提升。对于薄膜的介电调谐与储能性能,除了退火条件对其有重要影响外,衬底种类对薄膜性能的影响也不可小觑,因此:（2）沉积在Pt衬底上的PST薄膜的介电损耗比沉积在La Ni O3/Pt复合衬底上的大,其原因可能是沉积在Pt衬底上的PST薄膜内部缺陷比较多从而导致薄膜的漏电流比较大进而引起介电损耗的升高。沉积在Pt衬底上的PST薄膜的介电可调性在其最大安全电场（240 k V/cm）时为～27.2%,而沉积在La Ni O3/Pt衬底上的PST薄膜的介电可调性在其最大安全电场（～492k V/cm）时为～56.6%,这可能是得益于沉积在La Ni O3/Pt衬底上的PST薄膜漏电流较小。此外,加入La Ni O3缓冲层后,PST薄膜的储能密度和储能效率都得到了有效改善,还提高了薄膜的频率稳定性。