【摘 要】
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ZnO材料是继GaN之后宽禁带半导体材料又一热点。ZnO的禁带宽度Eg为3.3eV,并且其具有高的激子束缚能(60meV),比室温热离化能26meV大很多,是一种合适的用于室温或更高温度下的
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ZnO材料是继GaN之后宽禁带半导体材料又一热点。ZnO的禁带宽度Eg为3.3eV,并且其具有高的激子束缚能(60meV),比室温热离化能26meV大很多,是一种合适的用于室温或更高温度下的紫外发光材料,具有大束缚能的激子更容易在室温下实现高效率的受激发射。本论文即采用了MOCVD技术生长ZnO薄膜,研究生长过程中锌源流量对于ZnO薄膜结构性质表面形貌影响。并且对于ECV测试进行了相关的研究。其中利用ECV对于GaAs样品对其载流子浓度进行测试。另外,当今常用的对ZnO薄膜载流子浓度的测试方法是霍尔测试,但由于其对弱P型的ZnO薄膜的测试中可能存在不准确的因素。所以在这里我们运用了ECV对于ZnO薄膜的载流子浓度进行了测试。
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