本硕士论文分析了铝诱导多晶硅薄膜制备的发展历程，对铝诱导多晶硅薄膜的制备和表征进行了具体研究。通过改进工艺条件和制备参数（衬底材料，镀膜衬底材料温度、镀膜时间及B掺杂），制备多晶硅薄膜。主要制备步骤包括:清洗玻璃，PECVD沉积非晶（微晶）硅薄膜，真空蒸镀法沉积铝膜，最后升华炉退火处理，制备得到多晶硅薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)，紫外-可见分光光度计，光学显微镜、扫描电镜等表征仪器，对多晶硅薄膜的晶体成分构成、光学特性和结构特性进行表征。相比于其他制备方法相比，本论文采用增强化学气相沉积法(PECVD)和真空蒸镀法在干净的玻璃表面或者FTO表面沉积Si薄膜和Al薄膜。沉积薄膜工艺简单，衬底材料成本低廉，沉积薄膜的均匀性好，适合于大面积大规模的工业化流水线生产。　　本实验室已成功利用铝诱导法制备出了多晶硅薄膜，实验以硅烷(SiH4)为原料，以氢气(H2)为载气制备出非晶、微晶、多晶晶核，经过铝诱导退火处理，得到多晶硅薄膜，并通过对多晶硅薄膜表征，研究铝铝诱导对多晶硅薄膜成核大小、生长择优取向的影响。　　通过实验，铝诱导有利于硅由非晶硅转化为多晶硅，有利于多晶硅晶核生长增大，在扫描电子显微镜观察下，铝诱导下多晶硅晶核生长相比于直接用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积硅，晶核明显增大，对于多晶晶面取向集中在(111)方向以及(220)方向。