宽禁带半导体材料在发光器件和光探测器件等方面具有广阔应用前景。宽禁带半导体材料的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器因其制备工艺简单、便于集成等优点倍受关注。 本文根据MSM结构紫外光探测器的工作原理，基于热电子发射理论，研究了该结构探测器的数学解析模型。通过对SiC的晶体结构及其电学特性的研究，使用二维器件仿真软件GENESISe建立了SiC材料MSM结构紫外光探测器器件模型，对金属叉指宽度和叉指间距均为2.5μm的器件进行了仿真验证。通过改变叉指电极宽度和间距等参数，仿真并分析了不同的器件结构参数对探测器暗电流和光电流I-V特性的影响。仿真结果表明光电流比暗电流大2个数量级，其I-V特性受器件结构参数影响较大，叉指电极宽度为5μm，叉指间距为3μm的器件具有较大的光电流和较好的响应度。通过修改SiC材料参数文件，建立了GaN材料参数库，对GaN材料MSM探测器进行了仿真研究。结果表明两种材料的探测器的暗电流和光电流I-V特性相差不大。